Soporte para obleas de grabado ICP

El soporte para obleas de grabado ICP de Semicorex es la solución perfecta para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con una resistencia estable a la oxidación a altas temperaturas de hasta 1600 °C, nuestros portadores garantizan perfiles térmicos uniformes, patrones de flujo de gas laminar y evitan la contaminación o la difusión de impurezas.

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Descripción del Producto

¿Busca un proveedor confiable de soportes de obleas para su equipo de epitaxia? No busque más, Semicorex. Nuestro soporte para obleas de grabado ICP está diseñado específicamente para entornos de limpieza con productos químicos agresivos y de alta temperatura. Con un fino recubrimiento de cristal de SiC, nuestros soportes brindan una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme y resistencia química duradera.
Nuestro soporte para obleas de grabado ICP está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro soporte para obleas de grabado ICP.

Parámetros del soporte para oblea de grabado ICP

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300