Portadores de obleas de sustrato de grafito con revestimiento de SiC para MOCVD

Puede estar seguro de comprar portadores de obleas de sustrato de grafito con revestimiento de SiC para MOCVD en nuestra fábrica. En Semicorex, somos un fabricante y proveedor a gran escala de susceptor de grafito recubierto de SiC en China. Nuestro producto tiene una buena ventaja de precio y cubre muchos de los mercados europeos y americanos. Nos esforzamos por ofrecer a nuestros clientes productos de alta calidad que cumplan con sus requisitos específicos. Nuestro portador de obleas con sustrato de grafito con revestimiento de SiC para MOCVD es una excelente opción para quienes buscan un portador de alto rendimiento para su proceso de fabricación de semiconductores.

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Descripción del Producto

El portador de obleas de sustrato de grafito con revestimiento de SiC para MOCVD desempeña un papel crucial en el proceso de fabricación de semiconductores. Nuestro producto es muy estable, incluso en ambientes extremos, lo que lo convierte en una excelente opción para la producción de obleas de alta calidad.
Las características de nuestros portadores de obleas con sustrato de grafito con revestimiento de SiC para MOCVD son excepcionales. Su superficie densa y sus partículas finas mejoran su resistencia a la corrosión, haciéndolo resistente a ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos. El portador asegura un perfil térmico uniforme y garantiza el mejor patrón de flujo de gas laminar, evitando que cualquier contaminación o impurezas se difundan en la oblea.

Parámetros de los portadores de obleas de sustrato de grafito con revestimiento de SiC para MOCVD

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.

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