Susceptores de oblea de grafito recubiertos de TaC

Con el avance continuo de los procesos modernos de fabricación de semiconductores, los requisitos para las obleas epitaxiales en términos de uniformidad de la película, calidad cristalográfica y estabilidad del proceso se han vuelto cada vez más estrictos. Por este motivo, el uso de materiales de alto rendimiento y duraderos.Susceptores de obleas de grafito recubiertos con TaCen el proceso de producción es importante para garantizar una deposición estable y un crecimiento epitaxial de alta calidad.

Las ventajas de los susceptores de obleas de grafito recubiertos con TaC de Semicorex

1. Las excelentes selecciones de materiales

(1) Material de la matriz

Semicorex utilizó alta pureza premiumgrafitocomo matriz de susceptores de oblea, que ofrece una conductividad térmica superior, resistencia a altas temperaturas, así como resistencia mecánica y dureza. Su coeficiente de expansión térmica coincide en gran medida con el del recubrimiento de TaC, lo que garantiza de manera efectiva una adhesión firme y evita que el recubrimiento se despegue o se desconche.

(2) Material de revestimiento

El carburo de tantalio es un material de alto rendimiento con un punto de fusión extremadamente alto (aproximadamente 3880 ℃), excelente conductividad térmica, estabilidad química superior y excelente resistencia mecánica. Los parámetros de rendimiento específicos son los siguientes:

2. Rendimiento de recubrimiento excepcional

Semicorex emplea tecnología CVD de última generación para adherir uniforme y firmemente elrevestimiento de TaCa la matriz de grafito, lo que reduce eficazmente el riesgo de que el revestimiento se agriete o se pele causado por las altas temperaturas y las condiciones operativas de corrosión química. Además, la tecnología de procesamiento de precisión de Semicorex logra una superficie plana a nivel nanométrico para los susceptores de obleas de grafito recubiertos con TaC, y sus tolerancias de recubrimiento se controlan a nivel micrométrico, lo que proporciona plataformas óptimas para la deposición epitaxial de obleas.

3. Nivel de limpieza de grado semiconductor

Las matrices de grafito no se pueden utilizar directamente en procesos como la epitaxia de haz molecular (MBE), la deposición química de vapor (CVD) y la deposición química de vapor metal-orgánico (MOCVD). La aplicación de recubrimientos de TaC evita eficazmente la contaminación de la oblea causada por la reacción entre la matriz de grafito y los productos químicos, evitando así el impacto en el rendimiento de la deposición final. Para garantizar una limpieza a nivel de semiconductor dentro de la cámara de reacción, cada susceptor de oblea de grafito recubierto con Semicorex TaC que debe estar en contacto directo con las obleas semiconductoras se somete a una limpieza ultrasónica antes del envasado al vacío.