Los hornos de deposición química de vapor Semicorex CVD hacen que la fabricación de epitaxia de alta calidad sea más eficiente. Ofrecemos soluciones de hornos personalizadas. Nuestros hornos de deposición química de vapor CVD tienen una buena ventaja de precio y cubren la mayoría de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.
Los hornos de deposición química de vapor Semicorex CVD diseñados para CVD y CVI se utilizan para depositar materiales sobre un sustrato. La reacción alcanza temperaturas de hasta 2200°C. Los controles de flujo másico y las válvulas moduladoras coordinan los gases reactivos y portadores como N, H, Ar, CO2, metano, tetracloruro de silicio, metiltriclorosilano y amoníaco. Los materiales depositados incluyen carburo de silicio, carbón pirolítico, nitruro de boro, seleniuro de zinc y sulfuro de zinc. Los hornos de deposición química de vapor CVD tienen estructuras tanto horizontales como verticales.
Solicitud:Recubrimiento de SiC para material compuesto C/C, recubrimiento de SiC para grafito, recubrimiento de SiC, BN y ZrC para fibra, etc.
Características de los hornos de deposición química de vapor Semicorex CVD
1.Diseño robusto fabricado con materiales de alta calidad para uso a largo plazo;
2.Suministro de gas controlado con precisión mediante el uso de controladores de flujo másico y válvulas de alta calidad;
3.Equipado con características de seguridad como protección contra sobrecalentamiento y detección de fugas de gas para un funcionamiento seguro y confiable;
4.Utilizando múltiples zonas de control de temperatura, gran uniformidad de temperatura;
5.Cámara de deposición especialmente diseñada con buen efecto de sellado y excelente rendimiento anticontaminación;
6.Utilizando múltiples canales de deposición con flujo de gas uniforme, sin rincones muertos de deposición y superficie de deposición perfecta;
7.Tiene tratamiento para el alquitrán, polvo sólido y gases orgánicos durante el proceso de deposición.
Especificaciones del horno CVD |
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Modelo |
Tamaño de la zona de trabajo (Ancho × Alto × Largo) mm |
Máx. Temperatura (°C) |
Temperatura Uniformidad (°C) |
Vacío máximo (Pa) |
Tasa de aumento de presión (Pa/h) |
LFH-6900-SiC |
600×600×900 |
1500 |
±7,5 |
1-100 |
0.67 |
LFH-10015-SiC |
1000×1000×1500 |
1500 |
±7,5 |
1-100 |
0.67 |
LFH-1220-SiC |
1200×1200×2000 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
LFH-1530-SiC |
1500×1500×3000 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
LFH-2535-SiC |
2500×2000×3500 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D3050-SiC |
ø300×500 |
1500 |
±5 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D6080-SiC |
φ600×800 |
1500 |
±7,5 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D8120-SiC |
φ800×1200 |
1500 |
±7,5 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D11-SiC |
ø1100×2000 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D26-SiC |
φ2600×3200 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
*Los parámetros anteriores se pueden ajustar a los requisitos del proceso, no son un estándar de aceptación ni una especificación detallada. se harán constar en la propuesta técnica y en los acuerdos.