Plato recubierto de sic

La placa recubierta de semicorex Sic es un componente de alto rendimiento diseñado específicamente para equipos de crecimiento epitaxial (EPI), que requiere sustratos estables y de alta pureza para crear películas de alta calidad. Es un núcleo de grafito de alta resistencia, uniforme y densamente recubierto con carburo de silicio (SIC), logrando la resistividad térmica y mecánica incomparable del grafito de alta resistencia combinado con la estabilidad química y la durabilidad de la superficie de SIC. La placa recubierta de semicorex se construye para mantener los rigores extremos de los procesos epitaxiales para semiconductores compuestos, incluidos SIC y GaN.

El núcleo de grafito de la placa recubierta de SIC posee una conductividad térmica sobresaliente, baja densidad y resistencia a la choque térmico superior. La masa térmica moderadamente baja del núcleo de grafito equilibrada con una excelente conductividad térmica permite una distribución rápida del calor de manera uniforme en un proceso donde los ciclos de temperatura tienen lugar a altas velocidades. La capa externa de SIC depositada por la deposición de vapor químico (CVD) ofrece una barrera protectora que aumenta la dureza, la resistencia a la corrosión e inercia química, ofreciendo un valor inmediato para limitar o prevenir la generación de partículas. Esta superficie elemental sólida combinada con las características físicas de la base de grafito, asegura un entorno de proceso de pureza muy alto con muy poco o ningún riesgo de generación de defectos en las capas epitaxiales.

La precisión dimensional y la planitud de la superficie también son atributos esenciales de la placa recubierta de SiC. Cada placa está mecanizada y recubierta con tolerancias estrictas para garantizar la uniformidad y la repetibilidad en el rendimiento del proceso. La superficie lisa e inerte reduce los sitios de nucleación para la deposición de películas no deseadas y mejora la uniformidad de la oblea en la superficie de la placa.

En los reactores epitaxiales, la placa recubierta de SIC se implementa típicamente como susceptor, revestimiento o un escudo térmico para dar estructura y realizar como un medio de transferencia de calor a la oblea que se está procesando. El rendimiento estable afectará directamente la calidad, el rendimiento y la productividad del cristal.