Sic recubrimiento de parte plana

El recubrimiento SEMICOREX SIC Part parte es un componente de grafito recubierto de SIC de alto rendimiento diseñado específicamente para el proceso de epitaxia SIC. Su función principal es facilitar la conducción uniforme del flujo de aire y garantizar una distribución constante de gases durante la etapa de crecimiento epitaxial, lo que lo convierte en un componente indispensable en la fabricación de semiconductores SIC. La elección de semicorex garantiza soluciones de calidad superior y diseñada de precisión adaptadas a la industria de semiconductores.

El recubrimiento SIC proporciona una resistencia excepcional a las altas temperaturas, la corrosión química y la deformación térmica, asegurando el rendimiento de larga duración en entornos exigentes. La base de grafito mejora la integridad estructural del componente, mientras que el recubrimiento SIC uniforme garantiza una superficie de alta pureza crítica para procesos de epitaxia sensibles. Esta combinación de materiales hace que la parte plana de recubrimiento SIC sea una solución confiable para lograr capas epitaxiales uniformes y optimizar la eficiencia general de producción.

La excelente conductividad térmica y la estabilidad del grafito proporcionan ventajas significativas como componente en el equipo epitaxial. Sin embargo, el uso de grafito puro solo puede conducir a varios problemas. Durante el proceso de producción, los gases corrosivos y los residuos orgánicos metálicos pueden hacer que la base de grafito se corroiga y se deteriore, reduciendo significativamente su vida útil. Además, cualquier polvo de grafito que se caiga puede contaminar el chip, lo que hace que sea esencial abordar estos problemas durante la preparación de la base.

La tecnología de recubrimiento puede mitigar de manera efectiva estos problemas al fijar el polvo superficial, mejorar la conductividad térmica y equilibrar la distribución de calor. Esta tecnología es vital para garantizar la durabilidad de la base de grafito. Dependiendo del entorno de aplicación y los requisitos de uso específicos, el recubrimiento superficial debe poseer las siguientes características:

1. Alta densidad y cobertura completa: la base de grafito funciona en un entorno corrosivo de alta temperatura y debe estar completamente cubierta. El recubrimiento debe ser denso para proporcionar una protección efectiva.

2. Buena planitud de superficie: la base de grafito utilizada para el crecimiento de un solo cristal exige una planitud de superficie muy alta. Por lo tanto, el proceso de recubrimiento debe mantener la planitud original de la base, asegurando que la superficie de recubrimiento sea uniforme.

3. Fuerte fuerza de unión: para mejorar el enlace entre la base de grafito y el material de recubrimiento, es crucial minimizar la diferencia en los coeficientes de expansión térmica. Esta mejora asegura que el recubrimiento permanezca intacto incluso después de someterse a ciclos térmicos altos y de baja temperatura.

4. Conductividad térmica alta: para un crecimiento óptimo de chips, la base de grafito debe proporcionar una distribución de calor rápida y uniforme. En consecuencia, el material de recubrimiento debe tener alta conductividad térmica.

5. Alto punto de fusión y resistencia a la oxidación y la corrosión: el recubrimiento debe ser capaz de funcionar de manera confiable en entornos de alta temperatura y corrosiva.

Al centrarse en estas características clave, la longevidad y el rendimiento de los componentes basados ​​en grafito en el equipo epitaxial pueden mejorarse significativamente.

Con técnicas de fabricación avanzadas, Semicorex ofrece diseños personalizados para cumplir con requisitos específicos de procesos. La parte plana de recubrimiento SIC se prueba rigurosamente para determinar la precisión dimensional y la durabilidad, lo que refleja el compromiso de semicorexs con la excelencia en los materiales semiconductores. Ya sea que se use en la producción en masa o en los entornos de investigación, este componente garantiza un control preciso y un alto rendimiento en aplicaciones de epitaxia SIC.