Como fabricante profesional, nos gustaría ofrecerle SiC Epitaxy. Y le ofreceremos el mejor servicio postventa y entrega oportuna. Semicorex suministra susceptor de grafito recubierto de carburo de silicio CVD que se utiliza para soportar obleas. Su construcción de grafito recubierto de carburo de silicio (SiC) de alta pureza proporciona una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme para un espesor y resistencia consistentes de la capa Epi y una resistencia química duradera. El fino recubrimiento de cristal de SiC proporciona una superficie limpia y lisa, fundamental para la manipulación, ya que las obleas prístinas entran en contacto con el susceptor en muchos puntos de toda su área.
Semicorex Epitaxy Component es un elemento crucial en la producción de sustratos de SiC de alta calidad para aplicaciones de semiconductores avanzadas, una opción confiable para sistemas de reactores LPE. Al seleccionar Semicorex Epitaxy Component, los clientes pueden confiar en su inversión y mejorar sus capacidades de producción en el competitivo mercado de semiconductores.*
Leer másEnviar ConsultaLa cámara de reacción Semicorex LPE Halfmoon es indispensable para el funcionamiento eficiente y confiable de la epitaxia de SiC, lo que garantiza la producción de capas epitaxiales de alta calidad al tiempo que reduce los costos de mantenimiento y aumenta la eficiencia operativa. **
Leer másEnviar ConsultaSemicorex 6'' Wafer Carrier para Aixtron G5 ofrece una multitud de ventajas para su uso en equipos Aixtron G5, particularmente en procesos de fabricación de semiconductores de alta temperatura y alta precisión.**
Leer másEnviar ConsultaSemicorex Epitaxy Wafer Carrier proporciona una solución altamente confiable para aplicaciones de Epitaxy. Los materiales avanzados y la tecnología de recubrimiento garantizan que estos portadores brinden un rendimiento excepcional, reduciendo los costos operativos y el tiempo de inactividad debido al mantenimiento o reemplazo.**
Leer másEnviar ConsultaSemicorex presenta su susceptor de disco de SiC, diseñado para elevar el rendimiento de los equipos de epitaxia, deposición química de vapor metal-orgánico (MOCVD) y procesamiento térmico rápido (RTP). El susceptor de disco de SiC meticulosamente diseñado proporciona propiedades que garantizan un rendimiento, durabilidad y eficiencia superiores en entornos de vacío y alta temperatura.**
Leer másEnviar ConsultaSemicorex SiC ALD Susceptor ofrece numerosas ventajas en los procesos ALD, incluida la estabilidad a altas temperaturas, una mayor uniformidad y calidad de la película, una mayor eficiencia del proceso y una mayor vida útil del susceptor. Estos beneficios hacen del Susceptor SiC ALD una herramienta valiosa para lograr películas delgadas de alto rendimiento en diversas aplicaciones exigentes.**
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