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Susceptor de barril recubierto de SiC para crecimiento epitaxial de LPE

Susceptor de barril recubierto de SiC para crecimiento epitaxial de LPE

El susceptor de barril recubierto de SiC Semicorex para crecimiento epitaxial de LPE es un producto de alto rendimiento diseñado para proporcionar un rendimiento consistente y confiable durante un período prolongado. Su perfil térmico uniforme, su patrón de flujo de gas laminar y su prevención de la contaminación lo convierten en una opción ideal para el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad en chips de obleas. Su personalización y rentabilidad lo convierten en un producto altamente competitivo en el mercado.
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Deposición epitaxial de CVD en reactor de barril

Deposición epitaxial de CVD en reactor de barril

Semicorex CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor es un producto altamente duradero y confiable para el crecimiento de capas epixiales en chips de obleas. Su resistencia a la oxidación a altas temperaturas y su alta pureza lo hacen adecuado para su uso en la industria de semiconductores. Su perfil térmico uniforme, su patrón de flujo de gas laminar y su prevención de la contaminación lo convierten en una opción ideal para el crecimiento de la capa epixial de alta calidad.
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Deposición epitaxial de silicio en reactor de barril

Deposición epitaxial de silicio en reactor de barril

Si necesita un susceptor de grafito de alto rendimiento para su uso en aplicaciones de fabricación de semiconductores, el reactor de barril de deposición epitaxial de silicio Semicorex es la opción ideal. Su revestimiento de SiC de alta pureza y su excepcional conductividad térmica brindan propiedades superiores de protección y distribución de calor, lo que lo convierte en la opción ideal para un rendimiento confiable y consistente incluso en los entornos más desafiantes.
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Susceptor de barril de grafito recubierto de SiC

Susceptor de barril de grafito recubierto de SiC

Si está buscando un susceptor de grafito de alto rendimiento para usar en aplicaciones de fabricación de semiconductores, el susceptor de barril de grafito recubierto de SiC Semicorex es la opción ideal. Su excepcional conductividad térmica y propiedades de distribución de calor lo convierten en la opción ideal para un rendimiento confiable y consistente en ambientes corrosivos y de alta temperatura.
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Susceptor de crecimiento de cristales recubierto de SiC

Susceptor de crecimiento de cristales recubierto de SiC

Con su alto punto de fusión, resistencia a la oxidación y a la corrosión, el susceptor de crecimiento de cristales recubierto de SiC Semicorex es la opción ideal para su uso en aplicaciones de crecimiento de cristales individuales. Su recubrimiento de carburo de silicio proporciona excelentes propiedades de planitud y distribución de calor, lo que lo convierte en una opción ideal para entornos de alta temperatura.
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Susceptor de barril duradero con revestimiento de SiC

Susceptor de barril duradero con revestimiento de SiC

Con su excelente densidad y conductividad térmica, el susceptor de barril recubierto de SiC duradero Semicorex es la opción ideal para su uso en procesos epitaxiales y otras aplicaciones de fabricación de semiconductores. Su recubrimiento de SiC de alta pureza proporciona propiedades superiores de protección y distribución del calor, lo que lo convierte en la opción ideal para obtener resultados confiables y consistentes.
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