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Susceptor MOCVD recubierto de SiC

Susceptor MOCVD recubierto de SiC

Semicorex es un fabricante y proveedor líder de susceptores MOCVD recubiertos de SiC. Nuestro producto está especialmente diseñado para que las industrias de semiconductores hagan crecer la capa epitaxial en el chip de oblea. El soporte de grafito recubierto de carburo de silicio de alta pureza se utiliza como placa central en MOCVD, con un diseño en forma de engranaje o anillo. Nuestro susceptor es ampliamente utilizado en equipos MOCVD, asegurando una alta resistencia al calor y a la corrosión, y una gran estabilidad en ambientes extremos.
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Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

Semicorex es un fabricante y proveedor a gran escala de susceptor de grafito recubierto de carburo de silicio en China. Nos centramos en industrias de semiconductores como las capas de carburo de silicio y los semiconductores epitaxia. Nuestro susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD tiene una buena ventaja de precio y cubre muchos de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo.
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Portador de recubrimiento RTP SiC

Portador de recubrimiento RTP SiC

El portador de recubrimiento Semicorex RTP SiC ofrece resistencia al calor y uniformidad térmica superiores, lo que lo convierte en la solución perfecta para aplicaciones de procesamiento de obleas semiconductoras. Con su grafito recubierto de SiC de alta calidad, este producto está diseñado para soportar el entorno de deposición más severo para el crecimiento epitaxial. La alta conductividad térmica y las excelentes propiedades de distribución del calor garantizan un rendimiento confiable para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos.
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Portador de recubrimiento de SiC RTP/RTA

Portador de recubrimiento de SiC RTP/RTA

El portador de revestimiento de SiC Semicorex RTP/RTA está diseñado para soportar las condiciones más duras del entorno de deposición. Con su alta resistencia al calor y a la corrosión, este producto está diseñado para proporcionar un rendimiento óptimo para el crecimiento epitaxial. El soporte recubierto de SiC tiene una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor, lo que garantiza un rendimiento confiable para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos.
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Placa portadora RTP de grafito SiC para MOCVD

Placa portadora RTP de grafito SiC para MOCVD

La placa portadora RTP de grafito SiC Semicorex para MOCVD ofrece una resistencia al calor y uniformidad térmica superiores, lo que la convierte en la solución perfecta para aplicaciones de procesamiento de obleas semiconductoras. Con un grafito recubierto de SiC de alta calidad, este producto está diseñado para resistir el entorno de deposición más severo para el crecimiento epitaxial. La alta conductividad térmica y las excelentes propiedades de distribución del calor garantizan un rendimiento confiable para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos.
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Placa portadora RTP recubierta de SiC para crecimiento epitaxial

Placa portadora RTP recubierta de SiC para crecimiento epitaxial

La placa portadora RTP recubierta de SiC Semicorex para crecimiento epitaxial es la solución perfecta para aplicaciones de procesamiento de obleas semiconductoras. Con sus susceptores de grafito de carbono de alta calidad y crisoles de cuarzo procesados ​​por MOCVD en la superficie de grafito, cerámica, etc., este producto es ideal para el manejo de obleas y el procesamiento de crecimiento epitaxial. El soporte recubierto de SiC garantiza una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor, lo que lo convierte en una opción confiable para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos.
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