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Noticias de la Industria

Introducción a los semiconductores de tercera generación: GaN y tecnologías epitaxiales relacionadas

Los materiales de GaN ganaron protagonismo tras la concesión del Premio Nobel de Física de 2014 a los LED azules. Inicialmente apareciendo en el ojo público a través de aplicaciones de carga rápida en electrónica de consumo, los amplificadores de potencia basados en GaN y los dispositivos de RF ta......

Sustrato versus epitaxia: funciones clave en la fabricación de semiconductores

En el ámbito de la tecnología de semiconductores y la microelectrónica, los conceptos de sustratos y epitaxia tienen una gran importancia. Desempeñan papeles críticos en el proceso de fabricación de dispositivos semiconductores. Este artículo profundizará en las diferencias entre los sustratos semi......

Pasos principales en el procesamiento de sustratos de SiC

El procesamiento del sustrato 4H-SiC incluye principalmente los siguientes pasos:

Parámetros clave de los sustratos de carburo de silicio (SiC)

El proceso de producción de carburo de silicio (SiC) abarca la preparación del sustrato y la epitaxia desde el lado de los materiales, seguido del diseño y fabricación de chips, el empaquetado de dispositivos y, finalmente, la distribución a los mercados de aplicaciones posteriores. Entre estas etap......

Aplicaciones de carburo de silicio

El carburo de silicio tiene una gran cantidad de aplicaciones en industrias emergentes e industrias tradicionales. En la actualidad, el mercado mundial de semiconductores ha superado los 100.000 millones de yuanes. Se espera que para 2025, las ventas mundiales de materiales de fabricación de semicon......

Introducción al proceso de implantación y recocido de iones de carburo de silicio

En la fabricación tradicional de dispositivos de potencia de silicio, la difusión a alta temperatura y la implantación de iones son los métodos principales para el control de dopantes, cada uno con sus ventajas y desventajas. Normalmente, la difusión a alta temperatura se caracteriza por su simplici......

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