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Noticias de la Industria
Epitaxia de SiC
Hay dos tipos de epitaxia: homogénea y heterogénea. Para producir dispositivos de SiC con resistencia específica y otros parámetros para diferentes aplicaciones, el sustrato debe cumplir las condiciones de epitaxia antes de que pueda comenzar la producción. La calidad de la epitaxia afecta el rendim......
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Grabado en seco versus grabado en húmedo
En la fabricación de semiconductores, el grabado es uno de los pasos principales, junto con la fotolitografía y la deposición de películas delgadas. Implica eliminar materiales no deseados de la superficie de una oblea mediante métodos químicos o físicos. Este paso se lleva a cabo después del recubr......
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Dislocación en cristales de SiC.
El sustrato de SiC puede tener defectos microscópicos, como dislocación del tornillo roscado (TSD), dislocación del borde roscado (TED), dislocación del plano base (BPD) y otros. Estos defectos son causados por desviaciones en la disposición de los átomos a nivel atómico.
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Sobre defectos en cristales de SiC - Micropipe
El sustrato de SiC puede tener defectos microscópicos, como dislocación del tornillo roscado (TSD), dislocación del borde roscado (TED), dislocación del plano base (BPD) y otros. Estos defectos son causados por desviaciones en la disposición de los átomos a nivel atómico. Los cristales de SiC tamb......
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