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Noticias de la Industria

Corte de SiC

El carburo de silicio (SiC) es muy popular en la industria de los semiconductores por sus excelentes propiedades físicas y químicas. Sin embargo, la alta dureza y fragilidad del SiC plantean desafíos considerables para su procesamiento.

Flujo del proceso central de sustrato de carburo de silicio

El sustrato de carburo de silicio es un material monocristalino semiconductor compuesto compuesto por dos elementos, carbono y silicio. Tiene las características de banda prohibida grande, alta conductividad térmica, alta intensidad de campo de ruptura crítica y alta tasa de deriva de saturación de ......

El papel fundamental de los sustratos de SiC y el crecimiento de los cristales en la industria de los semiconductores

Dentro de la cadena industrial del carburo de silicio (SiC), los proveedores de sustratos tienen una influencia significativa, principalmente debido a la distribución del valor. Los sustratos de SiC representan el 47% del valor total, seguidos de las capas epitaxiales con el 23%, mientras que el dis......

Aplicación de SiC y GaN en vehículos eléctricos.

Los MOSFET de SiC son transistores que ofrecen alta densidad de potencia, eficiencia mejorada y bajas tasas de falla a altas temperaturas. Estas ventajas de los MOSFET de SiC aportan numerosos beneficios a los vehículos eléctricos (EV), incluida una mayor autonomía de conducción, una carga más rápid......

Semiconductores de cuarta generación Óxido de galio/β-Ga2O3

La primera generación de materiales semiconductores está representada principalmente por el silicio (Si) y el germanio (Ge), que comenzaron a aumentar en los años cincuenta. El germanio era dominante en los primeros días y se usaba principalmente en fotodetectores y transistores de bajo voltaje, baj......

Crecimiento epitaxial sin defectos y dislocaciones inadaptadas

El crecimiento epitaxial sin defectos se produce cuando una red cristalina tiene constantes de red casi idénticas a las de otra. El crecimiento ocurre cuando los sitios de la red de las dos redes en la región de interfaz coinciden aproximadamente, lo cual es posible con una pequeña discrepancia en l......

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