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Noticias de la Industria

Elementos calefactores de carburo de silicio

En el mundo de la calefacción a alta temperatura, lograr precisión y confiabilidad en condiciones extremas es primordial. Para afrontar estos desafíos, se han desarrollado materiales y diseños innovadores para superar los límites de lo posible. Uno de esos avances es el elemento calefactor de grafit......

El impacto de la temperatura en los recubrimientos CVD-SiC

La deposición química de vapor (CVD) es una técnica versátil para producir recubrimientos de alta calidad con diversas aplicaciones en industrias como la aeroespacial, la electrónica y la ciencia de materiales. Los recubrimientos CVD-SiC son conocidos por sus propiedades excepcionales, incluida la r......

Recubrimiento TaC con método CVD

El recubrimiento de carburo de tantalio es un importante material estructural de alta resistencia, resistente a la corrosión y químicamente estable a altas temperaturas con un punto de fusión de hasta 4273 °C, uno de los varios compuestos con mayor resistencia a la temperatura. Tiene excelentes prop......

Métodos de crecimiento de cristales de AlN

AlN, como material semiconductor de tercera generación, no solo es un importante material de luz azul y luz ultravioleta, sino también un importante material de embalaje, aislamiento dieléctrico y aislamiento para dispositivos electrónicos y circuitos integrados, especialmente adecuado para disposit......

Crisol con revestimiento de TaC para el crecimiento de cristales de AlN

La tercera generación de materiales semiconductores AlN pertenece al semiconductor de banda prohibida directa, su ancho de banda de 6,2 eV, con alta conductividad térmica, resistividad, intensidad de campo de ruptura, así como una excelente estabilidad química y térmica, no es solo una importante lu......

Equipo LPE

En el ámbito de la fabricación de dispositivos semiconductores, el control preciso del crecimiento del cristal es fundamental para lograr dispositivos confiables y de alta calidad. Una técnica que ha desempeñado un papel fundamental en este ámbito es la epitaxia en fase líquida (LPE).

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