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Noticias de la Industria

Proceso de oxidación

La etapa más básica de todos los procesos es el proceso de oxidación. El proceso de oxidación consiste en colocar la oblea de silicio en una atmósfera de oxidantes como oxígeno o vapor de agua para un tratamiento térmico a alta temperatura (800 ~ 1200 ℃), y se produce una reacción química en la supe......

¿Por qué no crece la epitaxia de nitruro de glio (GaN) en un sustrato de GaN?

El crecimiento de la epitaxia de GaN en un sustrato de GaN presenta un desafío único, a pesar de las propiedades superiores del material en comparación con el silicio. La epitaxia de GaN ofrece ventajas significativas en términos de ancho de banda prohibida, conductividad térmica y campo eléctrico d......

Cómo hacer el proceso CMP

En el proceso de fabricación de obleas de silicio, después de cortar la varilla de cristal en obleas de silicio, será necesario pulirla y limpiarla para obtener una oblea de silicio monocristalino como un espejo.

¿Qué es el proceso CMP?

En la fabricación de semiconductores, la planitud a nivel atómico se suele utilizar para describir la planitud global de la oblea, con la unidad de nanómetros (nm).

Proceso de difusión e implante de iones

La implantación de iones es un método de dopaje de semiconductores y uno de los principales procesos en la fabricación de semiconductores.

Desafíos de la tecnología de implantación de iones en dispositivos de energía de SiC y GaN

Se espera que los semiconductores de banda ancha (WBG), como el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN), desempeñen un papel cada vez más importante en los dispositivos electrónicos de potencia. Ofrecen varias ventajas sobre los dispositivos tradicionales de silicio (Si), incluida una m......

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