El proceso del sustrato de carburo de silicio es complejo y difícil de fabricar. El sustrato de SiC ocupa el principal valor de la cadena industrial y representa el 47%. Se espera que con la ampliación de la capacidad de producción y la mejora del rendimiento en el futuro, caiga al 30%.
Leer másActualmente, muchos dispositivos semiconductores emplean estructuras de dispositivos de mesa, que se crean predominantemente mediante dos tipos de grabado: grabado en húmedo y grabado en seco. Si bien el grabado húmedo simple y rápido desempeña un papel importante en la fabricación de dispositivos s......
Leer másLos dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) son dispositivos semiconductores fabricados con materiales de carburo de silicio y se utilizan principalmente en aplicaciones electrónicas de alta frecuencia, alta temperatura, alto voltaje y alta potencia. En comparación con los dispositivos ......
Leer másComo material semiconductor de tercera generación, el nitruro de galio a menudo se compara con el carburo de silicio. El nitruro de galio aún demuestra su superioridad con su gran banda prohibida, alto voltaje de ruptura, alta conductividad térmica, alta velocidad de deriva de electrones saturados y......
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