En el proceso de crecimiento de monocristales de SiC y AlN mediante el método de transporte físico de vapor (PVT), componentes como el crisol, el soporte del cristal semilla y el anillo guía desempeñan un papel vital. Durante el proceso de preparación de SiC, el cristal semilla se ubica en una regió......
Leer másEl material de sustrato de SiC es el núcleo del chip de SiC. El proceso de producción del sustrato es: después de obtener el lingote de cristal de SiC mediante crecimiento de monocristal; luego, preparar el sustrato de SiC requiere alisar, redondear, cortar, esmerilar (adelgazar); pulido mecánico, p......
Leer másEl carburo de silicio (SiC) es un material que posee una estabilidad térmica, física y química excepcional, exhibiendo propiedades que van más allá de las de los materiales convencionales. Su conductividad térmica es de unos sorprendentes 84 W/(m·K), que no sólo es superior a la del cobre sino tambi......
Leer másEn el campo de la fabricación de semiconductores en rápida evolución, incluso las mejoras más pequeñas pueden marcar una gran diferencia cuando se trata de lograr un rendimiento, durabilidad y eficiencia óptimos. Un avance que está generando mucho revuelo en la industria es el uso de recubrimiento d......
Leer másLa industria del carburo de silicio implica una cadena de procesos que incluyen la creación de sustratos, el crecimiento epitaxial, el diseño y la fabricación de dispositivos, el embalaje y las pruebas. En general, el carburo de silicio se crea en forma de lingotes, que luego se cortan, muelen y pul......
Leer másEl carburo de silicio (SiC) tiene importantes aplicaciones en áreas como la electrónica de potencia, dispositivos de RF de alta frecuencia y sensores para ambientes resistentes a altas temperaturas debido a sus excelentes propiedades fisicoquímicas. Sin embargo, la operación de corte durante el proc......
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