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Noticias de la Industria

Heteroepitaxia de 3C-SiC: descripción general

El desarrollo del 3C-SiC, un importante politipo de carburo de silicio, refleja el avance continuo de la ciencia de los materiales semiconductores. En la década de 1980, Nishino et al. logró por primera vez una película de 3C-SiC de 4 μm de espesor sobre un sustrato de silicio mediante deposición qu......

Silicio monocristalino versus silicio policristalino

El silicio monocristalino y el silicio policristalino tienen cada uno sus propias ventajas únicas y escenarios aplicables. El silicio monocristalino es adecuado para productos electrónicos y microelectrónicos de alto rendimiento debido a sus excelentes propiedades eléctricas y mecánicas. El silicio ......

Sustrato y Epitaxia

En el proceso de preparación de la oblea, hay dos vínculos principales: uno es la preparación del sustrato y el otro es la implementación del proceso epitaxial. El sustrato, una oblea cuidadosamente hecha de material monocristalino semiconductor, se puede colocar directamente en el proceso de fabric......

Oblea de silicio

El material de silicio es un material sólido con ciertas propiedades eléctricas semiconductoras y estabilidad física, y proporciona soporte de sustrato para el posterior proceso de fabricación de circuitos integrados. Es un material clave para los circuitos integrados basados en silicio. Más del 9......

Corte de SiC

El carburo de silicio (SiC) es muy popular en la industria de los semiconductores por sus excelentes propiedades físicas y químicas. Sin embargo, la alta dureza y fragilidad del SiC plantean desafíos considerables para su procesamiento.

Flujo del proceso central de sustrato de carburo de silicio

El sustrato de carburo de silicio es un material monocristalino semiconductor compuesto compuesto por dos elementos, carbono y silicio. Tiene las características de banda prohibida grande, alta conductividad térmica, alta intensidad de campo de ruptura crítica y alta tasa de deriva de saturación de ......

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