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Noticias de la Industria

Pasos principales en el procesamiento de sustratos de SiC

El procesamiento del sustrato 4H-SiC incluye principalmente los siguientes pasos:

Parámetros clave de los sustratos de carburo de silicio (SiC)

El proceso de producción de carburo de silicio (SiC) abarca la preparación del sustrato y la epitaxia desde el lado de los materiales, seguido del diseño y fabricación de chips, el empaquetado de dispositivos y, finalmente, la distribución a los mercados de aplicaciones posteriores. Entre estas etap......

Aplicaciones de carburo de silicio

El carburo de silicio tiene una gran cantidad de aplicaciones en industrias emergentes e industrias tradicionales. En la actualidad, el mercado mundial de semiconductores ha superado los 100.000 millones de yuanes. Se espera que para 2025, las ventas mundiales de materiales de fabricación de semicon......

Introducción al proceso de implantación y recocido de iones de carburo de silicio

En la fabricación tradicional de dispositivos de potencia de silicio, la difusión a alta temperatura y la implantación de iones son los métodos principales para el control de dopantes, cada uno con sus ventajas y desventajas. Normalmente, la difusión a alta temperatura se caracteriza por su simplici......

Método para preparar polvo de SiC.

El carburo de silicio (SiC) es una sustancia inorgánica. La cantidad de carburo de silicio natural es muy pequeña. Es un mineral raro y se llama moissanita. El carburo de silicio utilizado en la producción industrial se sintetiza principalmente de forma artificial.

Capas epitaxiales: la base de los dispositivos semiconductores avanzados

En la industria de los semiconductores, las capas epitaxiales desempeñan un papel crucial al formar películas delgadas monocristalinas específicas sobre un sustrato de oblea, conocidas colectivamente como obleas epitaxiales. En particular, las capas epitaxiales de carburo de silicio (SiC) cultivadas......

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