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Noticias de la Industria

Lograr un crecimiento de cristales de SiC de alta calidad mediante el control del gradiente de temperatura en la fase de crecimiento inicial

El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor de banda prohibida amplia que ha atraído una gran atención en los últimos años debido a su rendimiento excepcional en aplicaciones de alto voltaje y alta temperatura. Este estudio explora sistemáticamente las diversas características de los cr......

¿Qué es el recocido térmico?

El proceso de recocido, también conocido como recocido térmico, es un paso crucial en la fabricación de semiconductores.

Por qué utilizar la limpieza ultrasónica en la fabricación de semiconductores

Al limpiar obleas, se utilizan comúnmente limpieza ultrasónica y limpieza megasónica para eliminar partículas de la superficie de la oblea.

El estudio sobre la distribución de la resistividad eléctrica en cristales de 4H-SiC tipo n

El 4H-SiC, como material semiconductor de tercera generación, es conocido por su amplia banda prohibida, alta conductividad térmica y excelente estabilidad química y térmica, lo que lo hace muy valioso en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.

¿Qué es el sistema de horno de crecimiento cristalino?

El horno de crecimiento de monocristal se compone de seis sistemas clave que funcionan en armonía para garantizar un crecimiento de cristales eficiente y de alta calidad.

Infineon presenta la primera oblea Power GaN de 300 mm del mundo

Recientemente, Infineon Technologies anunció el desarrollo exitoso de la primera tecnología de oblea de nitruro de galio (GaN) de 300 mm de potencia del mundo.

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