> Noticias > Noticias de la Industria

Noticias de la Industria

GaN y SiC: ¿coexistencia o sustitución?

El impulso por una mayor densidad de energía y eficiencia se ha convertido en un principal impulsor de la innovación en múltiples industrias, incluidos los centros de datos, la energía renovable, la electrónica de consumo, los vehículos eléctricos y las tecnologías de conducción autónoma. En el ámbi......

¿Qué es el campo térmico?

En el campo del crecimiento de monocristales, la distribución de temperatura dentro del horno de crecimiento de cristales juega un papel fundamental. Esta distribución de temperatura, comúnmente conocida como campo térmico, es un factor vital que influye en la calidad y las características del crist......

Tecnología de producción de grafito isostático

La tecnología de prensado isostático es un proceso crítico en la fabricación de grafito isostático y determina en gran medida el rendimiento del producto final. Como tal, la investigación exhaustiva y la optimización de la producción de grafito isostático siguen siendo puntos focales esenciales en l......

Progreso de la investigación de recubrimientos TaC en superficies de materiales a base de carbono

Los materiales a base de carbono, como el grafito, las fibras de carbono y los compuestos de carbono/carbono (C/C), son conocidos por su alta resistencia específica, su alto módulo específico y sus excelentes propiedades térmicas, lo que los hace adecuados para una amplia gama de aplicaciones de alt......

¿Qué aplicaciones tiene el sustrato de nitruro de galio (GaN)?

El nitruro de galio (GaN) es un material importante en la tecnología de semiconductores, conocido por sus excepcionales propiedades electrónicas y ópticas. GaN, como semiconductor de banda prohibida amplia, tiene una energía de banda prohibida de aproximadamente 3,4 eV, lo que lo hace ideal para apl......

Desafíos técnicos en los hornos de crecimiento de cristales de carburo de silicio

Los hornos de crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC) son la piedra angular de la producción de obleas de SiC. Si bien comparten similitudes con los hornos tradicionales de crecimiento de cristales de silicio, los hornos de SiC enfrentan desafíos únicos debido a las condiciones extremas......

<...10 11 12 13 14...29 >