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China Recubierto de carburo de silicio Fabricantes, Proveedores, Fábrica
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Portador RTP para crecimiento epitaxial MOCVD
Semicorex RTP Carrier para crecimiento epitaxial MOCVD es ideal para aplicaciones de procesamiento de obleas semiconductoras, incluido el crecimiento epitaxial y el procesamiento de manipulación de obleas. MOCVD procesa susceptores de grafito de carbono y crisoles de cuarzo en la superficie de grafito, cerámica, etc. Nuestros productos tienen una buena ventaja de precio y cubren muchos de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.
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Componente ICP recubierto de SiC
El componente ICP recubierto de SiC de Semicorex está diseñado específicamente para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con un fino recubrimiento de cristal de SiC, nuestros soportes brindan una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme y resistencia química duradera.
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Recubrimiento de SiC de alta temperatura para cámaras de grabado por plasma
Cuando se trata de procesos de manipulación de obleas como epitaxia y MOCVD, el recubrimiento de SiC de alta temperatura para cámaras de grabado por plasma de Semicorex es la mejor opción. Nuestros portadores brindan una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme y resistencia química duradera gracias a nuestro fino recubrimiento de cristal de SiC.
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Bandeja de grabado por plasma ICP
La bandeja de grabado por plasma ICP de Semicorex está diseñada específicamente para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con una resistencia estable a la oxidación a altas temperaturas de hasta 1600 °C, nuestros portadores proporcionan perfiles térmicos uniformes, patrones de flujo de gas laminar y evitan la contaminación o la difusión de impurezas.
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Sistema de grabado por plasma ICP
El portador recubierto de SiC de Semicorex para el sistema de grabado por plasma ICP es una solución confiable y rentable para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Nuestros soportes cuentan con un fino revestimiento de cristal de SiC que proporciona una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme y resistencia química duradera.
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Plasma acoplado inductivamente (ICP)
El susceptor recubierto de carburo de silicio de Semicorex para plasma acoplado inductivamente (ICP) está diseñado específicamente para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con una resistencia estable a la oxidación a altas temperaturas de hasta 1600 °C, nuestros portadores garantizan perfiles térmicos uniformes, patrones de flujo de gas laminar y evitan la contaminación o la difusión de impurezas.
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Semicorex ha estado produciendo Recubierto de carburo de silicio durante muchos años y es uno de los fabricantes y proveedores profesionales de Recubierto de carburo de silicio en China. Una vez que compre nuestros productos avanzados y duraderos que suministran embalaje a granel, garantizamos la gran cantidad en una entrega rápida. A lo largo de los años, hemos brindado a los clientes un servicio personalizado. Los clientes están satisfechos con nuestros productos y excelente servicio. ¡Esperamos sinceramente convertirnos en su socio comercial confiable a largo plazo! Bienvenido a comprar productos de nuestra fábrica.
