Los materiales de GaN ganaron protagonismo tras la concesión del Premio Nobel de Física de 2014 a los LED azules. Inicialmente apareciendo en el ojo público a través de aplicaciones de carga rápida en electrónica de consumo, los amplificadores de potencia basados en GaN y los dispositivos de RF ta......
Leer másEn el ámbito de la tecnología de semiconductores y la microelectrónica, los conceptos de sustratos y epitaxia tienen una gran importancia. Desempeñan papeles críticos en el proceso de fabricación de dispositivos semiconductores. Este artículo profundizará en las diferencias entre los sustratos semi......
Leer másEl proceso de producción de carburo de silicio (SiC) abarca la preparación del sustrato y la epitaxia desde el lado de los materiales, seguido del diseño y fabricación de chips, el empaquetado de dispositivos y, finalmente, la distribución a los mercados de aplicaciones posteriores. Entre estas etap......
Leer másEl crecimiento de cristales es el eslabón principal en la producción de sustratos de carburo de silicio, y el equipo principal es el horno de crecimiento de cristales. Al igual que los hornos tradicionales de crecimiento de cristales de grado silicio, la estructura del horno no es muy compleja y con......
Leer másLos materiales semiconductores de banda ancha de tercera generación, como el nitruro de galio (GaN) y el carburo de silicio (SiC), son reconocidos por sus excepcionales capacidades de conversión optoelectrónica y transmisión de señales de microondas. Estos materiales cumplen con los exigentes requis......
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