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Noticias
El papel crucial de las capas epitaxiales en los dispositivos semiconductores
El crecimiento epitaxial se refiere al proceso de hacer crecer una capa monocristalina cristalográficamente bien ordenada sobre un sustrato. En términos generales, el crecimiento epitaxial implica el cultivo de una capa cristalina sobre un sustrato monocristalino, donde la capa cultivada comparte la......
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Conociendo GaN
Recientemente, la industria de los semiconductores ha seguido prestando cada vez más atención a la tecnología de nitruro de galio (GaN). Debido a sus excelentes propiedades electrónicas, los dispositivos de Nitruro de Galio tienen importantes aplicaciones en muchos campos de alta tecnología:
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Procesos de plasma en operaciones CVD
La deposición química de vapor (CVD) se refiere a una tecnología de proceso en la que múltiples reactivos gaseosos a presiones parciales variadas experimentan una reacción química en condiciones específicas de temperatura y presión. La sustancia sólida resultante se deposita sobre la superficie del ......
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El auge y las perspectivas del mercado de dispositivos de energía de carburo de silicio (SiC)
A medida que aumente gradualmente la aceptación global de los vehículos eléctricos, el carburo de silicio (SiC) encontrará nuevas oportunidades de crecimiento en la próxima década. Se prevé que los fabricantes de semiconductores de potencia y los operadores de la industria automotriz participen más ......
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Capas y sustratos epitaxiales de silicio en la fabricación de semiconductores
En los campos de la electrónica moderna, la optoelectrónica, la microelectrónica y la tecnología de la información, los sustratos semiconductores y las tecnologías epitaxiales son indispensables. Proporcionan una base sólida para la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento y a......
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Ventajas del SiC en la industria de los vehículos eléctricos
Como material semiconductor de banda prohibida ancha (WBG), la diferencia de energía más amplia del SiC le otorga propiedades térmicas y electrónicas más altas en comparación con el Si tradicional. Esta característica permite que los dispositivos de potencia funcionen a temperaturas, frecuencias y v......
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