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Control de dopaje en el crecimiento de SiC por sublimación

El carburo de silicio (SiC) desempeña un papel importante en la fabricación de electrónica de potencia y dispositivos de alta frecuencia debido a sus excelentes propiedades eléctricas y térmicas. La calidad y el nivel de dopaje de los cristales de SiC afectan directamente el rendimiento del disposit......

La importancia de los materiales porosos de grafito para el crecimiento de cristales de SiC.

El componente del horno de crecimiento de cristales de SiC de Semicorex, el barril de grafito poroso, aportará tres beneficios principales y puede fortalecer eficazmente la competitividad de los sustratos de SiC nacionales:

Conociendo el MOCVD

MOCVD es una nueva tecnología de crecimiento epitaxial en fase de vapor desarrollada sobre la base del crecimiento epitaxial en fase de vapor (VPE).

Aplicaciones de componentes de grafito recubiertos de TaC

En el proceso de crecimiento de monocristales de SiC y AlN mediante el método de transporte físico de vapor (PVT), componentes como el crisol, el soporte del cristal semilla y el anillo guía desempeñan un papel vital. Durante el proceso de preparación de SiC, el cristal semilla se ubica en una regió......

Proceso de corte y molienda de sustrato

El material de sustrato de SiC es el núcleo del chip de SiC. El proceso de producción del sustrato es: después de obtener el lingote de cristal de SiC mediante crecimiento de monocristal; luego, preparar el sustrato de SiC requiere alisar, redondear, cortar, esmerilar (adelgazar); pulido mecánico, p......

La primera empresa de industrialización de sustrato de óxido de galio de 6 pulgadas

Recientemente, nuestra empresa anunció que ha desarrollado con éxito un monocristal de óxido de galio de 6 pulgadas utilizando el método de fundición, convirtiéndose en la primera empresa industrializada nacional en dominar la tecnología de preparación de sustrato de monocristal de óxido de galio de......

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