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Comprensión de la tecnología de grabado en seco en la industria de semiconductores

Actualmente, muchos dispositivos semiconductores emplean estructuras de dispositivos de mesa, que se crean predominantemente mediante dos tipos de grabado: grabado en húmedo y grabado en seco. Si bien el grabado húmedo simple y rápido desempeña un papel importante en la fabricación de dispositivos s......

Ventajas de la cerámica de carburo de silicio en la industria de la fibra óptica

Las cerámicas de carburo de silicio ofrecen numerosas ventajas en la industria de la fibra óptica, incluida la estabilidad a altas temperaturas, el bajo coeficiente de expansión térmica, el bajo umbral de pérdidas y daños, la resistencia mecánica, la resistencia a la corrosión, la buena conductivida......

Introducción a los dispositivos de potencia de carburo de silicio

Los dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) son dispositivos semiconductores fabricados con materiales de carburo de silicio y se utilizan principalmente en aplicaciones electrónicas de alta frecuencia, alta temperatura, alto voltaje y alta potencia. En comparación con los dispositivos ......

Tecnología de epitaxia de oblea de carburo de silicio

El carburo de silicio generalmente utiliza el método PVT, con una temperatura de más de 2000 grados, un ciclo de procesamiento largo y bajo rendimiento, por lo que el costo de los sustratos de carburo de silicio es muy alto.

Una breve historia del carburo de silicio y aplicaciones de los recubrimientos de carburo de silicio

La historia del carburo de silicio (SiC) se remonta a 1891, cuando Edward Goodrich Acheson lo descubrió accidentalmente mientras intentaba sintetizar diamantes artificiales. Acheson calentó una mezcla de arcilla (aluminosilicato) y coque en polvo (carbono) en un horno eléctrico. En lugar de los diam......

Dificultades en la preparación de GaN.

Como material semiconductor de tercera generación, el nitruro de galio a menudo se compara con el carburo de silicio. El nitruro de galio aún demuestra su superioridad con su gran banda prohibida, alto voltaje de ruptura, alta conductividad térmica, alta velocidad de deriva de electrones saturados y......

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