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Proceso de oxidación

La etapa más básica de todos los procesos es el proceso de oxidación. El proceso de oxidación consiste en colocar la oblea de silicio en una atmósfera de oxidantes como oxígeno o vapor de agua para un tratamiento térmico a alta temperatura (800 ~ 1200 ℃), y se produce una reacción química en la supe......

¿Por qué no crece la epitaxia de nitruro de glio (GaN) en un sustrato de GaN?

El crecimiento de la epitaxia de GaN en un sustrato de GaN presenta un desafío único, a pesar de las propiedades superiores del material en comparación con el silicio. La epitaxia de GaN ofrece ventajas significativas en términos de ancho de banda prohibida, conductividad térmica y campo eléctrico d......

Cómo hacer el proceso CMP

En el proceso de fabricación de obleas de silicio, después de cortar la varilla de cristal en obleas de silicio, será necesario pulirla y limpiarla para obtener una oblea de silicio monocristalino como un espejo.

¿Qué es el proceso CMP?

En la fabricación de semiconductores, la planitud a nivel atómico se suele utilizar para describir la planitud global de la oblea, con la unidad de nanómetros (nm).

¿Cuáles son las ventajas y desventajas del grabado en seco y en húmedo?

El grabado es un proceso esencial en la fabricación de semiconductores. Este proceso se puede clasificar en dos tipos: grabado en seco y grabado en húmedo. Cada técnica tiene sus propias ventajas y limitaciones, por lo que es fundamental comprender las diferencias entre ellas. Entonces, ¿cómo se eli......

Material central para el crecimiento de SiC: revestimiento de carburo de tantalio

Los semiconductores actuales de tercera generación se basan principalmente en carburo de silicio, donde los sustratos representan el 47 % de los costos de los dispositivos y la epitaxia representa el 23 %, totalizando aproximadamente el 70 % y formando la parte más crucial de la industria de fabrica......

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