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Proceso de difusión e implante de iones

La implantación de iones es un método de dopaje de semiconductores y uno de los principales procesos en la fabricación de semiconductores.

Desafíos de la tecnología de implantación de iones en dispositivos de energía de SiC y GaN

Se espera que los semiconductores de banda ancha (WBG), como el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN), desempeñen un papel cada vez más importante en los dispositivos electrónicos de potencia. Ofrecen varias ventajas sobre los dispositivos tradicionales de silicio (Si), incluida una m......

Diversas aplicaciones del cuarzo en la fabricación de semiconductores.

A primera vista, el material de cuarzo (SiO2) se parece mucho al vidrio, pero lo especial es que el vidrio ordinario se compone de muchos componentes (como arena de cuarzo, bórax, ácido bórico, barita, carbonato de bario, piedra caliza, feldespato, carbonato de sodio). , etc.), mientras que el cuarz......

Comprensión del proceso completo de fabricación de dispositivos semiconductores

La fabricación de dispositivos semiconductores abarca principalmente cuatro tipos de procesos: (1) Fotolitografía (2) Técnicas de dopaje (3) Deposición de película (4) Técnicas de grabado Las técnicas específicas involucradas incluyen fotolitografía, implantación de iones, procesamiento térmic......

Dificultad para preparar sustratos de SiC.

En la actualidad, la tendencia más importante en el desarrollo de sustratos es ampliar el diámetro. La línea de producción en masa de 6 pulgadas en el mercado mundial de SiC está madurando y empresas líderes han ingresado al mercado de 8 pulgadas.

Sustrato de carburo de silicio

El proceso del sustrato de carburo de silicio es complejo y difícil de fabricar. El sustrato de SiC ocupa el principal valor de la cadena industrial y representa el 47%. Se espera que con la ampliación de la capacidad de producción y la mejora del rendimiento en el futuro, caiga al 30%.

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