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TSMC: Producción de prueba de riesgo de proceso de 2nm el próximo año

En su informe anual recién publicado, el presidente de TSMC, Deyin Liu, y el director ejecutivo, Chieh-Jia Wei, revelaron el progreso relacionado con el proceso de 2 nm.

Escenarios de aplicación para capas epitaxiales

Sabemos que es necesario construir capas epitaxiales adicionales sobre algunos sustratos de oblea para la fabricación de dispositivos, generalmente dispositivos emisores de luz LED, que requieren capas epitaxiales de GaAs sobre sustratos de silicio; Las capas epitaxiales de SiC se cultivan sobre sus......

Discutiendo el horno CVD

China sigue siendo el mayor mercado de equipos de semiconductores

Las ventas mundiales de equipos de fabricación de semiconductores aumentaron un 5 %, de 102 600 millones de dólares en 2021 a un récord histórico de 107 600 millones de dólares el año pasado, SEMI, la asociación de la industria que representa la cadena de suministro global de diseño y fabricación de......

Proceso CVD para epitaxia de obleas de SiC

El proceso de CVD para la epitaxia de obleas de SiC implica la deposición de películas de SiC sobre un sustrato de SiC mediante una reacción en fase gaseosa. Los gases precursores de SiC, típicamente metiltriclorosilano (MTS) y etileno (C2H4), se introducen en una cámara de reacción donde el sustrat......

Japón restringió recientemente las exportaciones de 23 tipos de equipos de fabricación de semiconductores

Japón restringió recientemente las exportaciones de 23 tipos de equipos de fabricación de semiconductores. El anuncio ha generado ondas en toda la industria, ya que se espera que la medida tenga un impacto significativo en las cadenas de suministro globales para la fabricación de semiconductores.