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¿Qué es una oblea de SiC tipo P?

Una oblea de carburo de silicio (SiC) de tipo P es un sustrato semiconductor dopado con impurezas para crear una conductividad de tipo P (positiva). El carburo de silicio es un material semiconductor de banda prohibida amplia que ofrece propiedades eléctricas y térmicas excepcionales, lo que lo hace......

¿Por qué elegir susceptores de grafito recubiertos de SiC?

El susceptor de grafito es una de las partes esenciales en el equipo MOCVD, es el portador y el calentador del sustrato de la oblea. Sus propiedades de estabilidad térmica y uniformidad térmica juegan un papel decisivo en la calidad del crecimiento epitaxial de la oblea, lo que determina directament......

¿Cuál es el proceso de SiC epitaxial?

En el campo de la alta tensión, en particular para dispositivos de alta tensión por encima de 20 000 V, la tecnología epitaxial de SiC aún enfrenta varios desafíos. Una de las principales dificultades es lograr una alta uniformidad, espesor y concentración de dopaje en la capa epitaxial. Para la fab......

Crecimiento sustancial del mercado de susceptores de grafito recubiertos de SiC

MOCVD es el equipo clave

Fondos en proyectos de semiconductores

Todos los países son conscientes de la importancia de los chips y ahora están acelerando la construcción de su propio ecosistema de cadena de suministro de fabricación de chips para evitar otro problema de escasez de chips. Pero las fundiciones avanzadas sin diseñadores de chips de próxima generació......