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El estudio sobre la distribución de la resistividad eléctrica en cristales de 4H-SiC tipo n

El 4H-SiC, como material semiconductor de tercera generación, es conocido por su amplia banda prohibida, alta conductividad térmica y excelente estabilidad química y térmica, lo que lo hace muy valioso en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.

¿Qué es el sistema de horno de crecimiento cristalino?

El horno de crecimiento de monocristal se compone de seis sistemas clave que funcionan en armonía para garantizar un crecimiento de cristales eficiente y de alta calidad.

Infineon presenta la primera oblea Power GaN de 300 mm del mundo

Recientemente, Infineon Technologies anunció el desarrollo exitoso de la primera tecnología de oblea de nitruro de galio (GaN) de 300 mm de potencia del mundo.

Fabricación de silicio monocristalino

Los tres métodos principales utilizados en la fabricación de silicio monocristalino son el método Czochralski (CZ), el método Kyropoulos y el método de zona flotante (FZ).

Oxidación en el procesamiento de semiconductores

Los procesos de oxidación desempeñan un papel fundamental en la prevención de tales problemas al crear una capa protectora en la oblea, conocida como capa de óxido, que actúa como una barrera entre diferentes químicos.

Análisis de las aplicaciones y perspectivas de desarrollo de la cerámica de SiC en los sectores de semiconductores y fotovoltaico

El carburo de silicio (SiC), como importante material cerámico de alta gama, tiene excelentes propiedades como resistencia a altas temperaturas, resistencia a la corrosión, resistencia al desgaste, resistencia mecánica a altas temperaturas y resistencia a la oxidación. Estas propiedades lo hacen muy......

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