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Procesos de plasma en operaciones CVD

La deposición química de vapor (CVD) se refiere a una tecnología de proceso en la que múltiples reactivos gaseosos a presiones parciales variadas experimentan una reacción química en condiciones específicas de temperatura y presión. La sustancia sólida resultante se deposita sobre la superficie del ......

El auge y las perspectivas del mercado de dispositivos de energía de carburo de silicio (SiC)

A medida que aumente gradualmente la aceptación global de los vehículos eléctricos, el carburo de silicio (SiC) encontrará nuevas oportunidades de crecimiento en la próxima década. Se prevé que los fabricantes de semiconductores de potencia y los operadores de la industria automotriz participen más ......

Capas y sustratos epitaxiales de silicio en la fabricación de semiconductores

En los campos de la electrónica moderna, la optoelectrónica, la microelectrónica y la tecnología de la información, los sustratos semiconductores y las tecnologías epitaxiales son indispensables. Proporcionan una base sólida para la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento y a......

Ventajas del SiC en la industria de los vehículos eléctricos

Como material semiconductor de banda prohibida ancha (WBG), la diferencia de energía más amplia del SiC le otorga propiedades térmicas y electrónicas más altas en comparación con el Si tradicional. Esta característica permite que los dispositivos de potencia funcionen a temperaturas, frecuencias y v......

Control de dopaje en el crecimiento de SiC por sublimación

El carburo de silicio (SiC) desempeña un papel importante en la fabricación de electrónica de potencia y dispositivos de alta frecuencia debido a sus excelentes propiedades eléctricas y térmicas. La calidad y el nivel de dopaje de los cristales de SiC afectan directamente el rendimiento del disposit......

La importancia de los materiales porosos de grafito para el crecimiento de cristales de SiC.

El componente del horno de crecimiento de cristales de SiC de Semicorex, el barril de grafito poroso, aportará tres beneficios principales y puede fortalecer eficazmente la competitividad de los sustratos de SiC nacionales:

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