Noticias

Aplicaciones industriales de GaN

Las áreas de aplicación de GaN basado en SiC y basado en Si no están estrictamente separadas. En los dispositivos de GaN-On-SiC, el costo del sustrato de SiC es relativamente alto y, con la creciente madurez de la tecnología de cristal largo de SiC, se espera que el costo del dispositivo disminuya a......

Acerca de los elementos calefactores de semiconductores

El tratamiento térmico es uno de los procesos esenciales e importantes en el proceso de semiconductores. El proceso térmico es el proceso de aplicar energía térmica a una oblea colocándola en un entorno lleno de un gas específico, incluida la oxidación/difusión/recocido, etc.

Comienza la producción de oblea 3C-SiC

La conductividad térmica del 3C-SiC a granel, medida recientemente, es la segunda más alta entre los cristales grandes de escala de pulgadas, ubicándose justo debajo del diamante. El carburo de silicio (SiC) es un semiconductor de banda prohibida ancha ampliamente utilizado en aplicaciones electróni......

Semicorex anuncia oblea epitaxial SiC de 8 pulgadas

PSMC de Taiwán construirá una fábrica de obleas de 300 mm en Japón

La Power Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) de Taiwán ha anunciado planes para construir una fábrica de obleas de 300 mm en Japón en colaboración con SBI Holdings. El propósito de esta colaboración es fortalecer la cadena de suministro de IC (circuito integrado) nacional de Japón, con un......

¿Qué es CVD para SiC?