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Sobre defectos en cristales de SiC - Micropipe

El sustrato de SiC puede tener defectos microscópicos, como dislocación del tornillo roscado (TSD), dislocación del borde roscado (TED), dislocación del plano base (BPD) y otros. Estos defectos son causados por desviaciones en la disposición de los átomos a nivel atómico. Los cristales de SiC tamb......

¿Por qué elegir el método de epitaxia en fase líquida?

En comparación con el método PVT, el método en fase líquida para cultivar SiC tiene las siguientes ventajas:

¿Qué es la epitaxia en fase líquida?

El método en fase líquida está más cerca de las condiciones de equilibrio termodinámico y es capaz de hacer crecer cristales de SiC de mejor calidad.

Recubrimiento TaC

Según los resultados de la investigación, el recubrimiento de TaC puede actuar como una capa protectora y aislante para extender la vida útil de los componentes de grafito, mejorar la uniformidad de la temperatura radial, mantener la estequiometría de sublimación del SiC, suprimir la migración de im......

¿Qué es el proceso CVD en semiconductores?

La CVD por deposición química de vapor se refiere a la introducción de dos o más materias primas gaseosas en una cámara de reacción en condiciones de vacío y alta temperatura, donde las materias primas gaseosas reaccionan entre sí para formar un nuevo material, que se deposita en la superficie de la......

Descripción general del desarrollo de la industria fotovoltaica

Para 2027, la energía solar fotovoltaica (PV) superará al carbón como la mayor capacidad instalada del mundo. La capacidad instalada acumulada de energía solar fotovoltaica casi se triplica en nuestro pronóstico, creciendo en casi 1.500 gigavatios durante este período, y superará al gas natural en 2......

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