El anillo de SiC a granel Semicorex es un componente crucial en los procesos de grabado de semiconductores, diseñado específicamente para su uso como anillo de grabado dentro de equipos avanzados de fabricación de semiconductores. Con nuestro firme compromiso de ofrecer productos de alta calidad a precios competitivos, estamos listos para convertirnos en su socio a largo plazo en China.*
Leer másEnviar ConsultaEl cabezal de ducha de carburo de silicio CVD Semicorex es un componente esencial y altamente especializado en el proceso de grabado de semiconductores, particularmente en la fabricación de circuitos integrados. Con nuestro compromiso inquebrantable de ofrecer productos de alta calidad a precios competitivos, estamos preparados para convertirnos en su socio a largo plazo en China.*
Leer másEnviar ConsultaEl anillo de recubrimiento de SiC Semicorex es un componente crítico en el exigente entorno de los procesos de epitaxia de semiconductores. Con nuestro firme compromiso de ofrecer productos de alta calidad a precios competitivos, estamos listos para convertirnos en su socio a largo plazo en China.*
Leer másEnviar ConsultaSemicorex presenta su susceptor de disco de SiC, diseñado para elevar el rendimiento de los equipos de epitaxia, deposición química de vapor metal-orgánico (MOCVD) y procesamiento térmico rápido (RTP). El susceptor de disco de SiC meticulosamente diseñado proporciona propiedades que garantizan un rendimiento, durabilidad y eficiencia superiores en entornos de vacío y alta temperatura.**
Leer másEnviar ConsultaSemicorex Graphite Thermal Field combina la ciencia de materiales de vanguardia con un profundo conocimiento de los procesos de crecimiento de los cristales y ofrece una solución innovadora que permite a la industria de semiconductores alcanzar nuevos niveles de rendimiento, eficiencia y rentabilidad.**
Leer másEnviar ConsultaSemicorex LPE SiC-Epi Halfmoon es un activo indispensable en el mundo de la epitaxia, ya que proporciona una solución sólida a los desafíos que plantean las altas temperaturas, los gases reactivos y los estrictos requisitos de pureza.**
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