Anillos exteriores de Poly-Si para grabado

Normalmente se sitúa alrededor delcabezal de ducha, El anillo exterior Poly-Si actúa como pieza de conexión entre el anillo de escape y el cabezal de ducha. Trabaja en cooperación con elmandril electrostático, el cabezal de ducha de Si, el anillo de enfoque de Si, el anillo de escape de Si y el anillo protector de Si, creando un entorno de proceso estable y confiable para operaciones de grabado de alta precisión.

Ventajas de los anillos exteriores Semicorex poli-Si para grabado

Los anillos exteriores de poli-Si Semicorex para grabado se fabrican con precisión a partir de polisilicio de alta calidad, lo que ofrece el siguiente excelente rendimiento de propiedades.

1.Alta limpieza y bajo contenido de partículas.

2.Resistencia superior a altas temperaturas y alta resistencia al choque térmico

3.Resistencia a la corrosión confiable

4.Rendimiento eléctrico excepcional y alta uniformidad de conductividad eléctrica.

Funciones de los anillos exteriores Semicorex poli-Si para grabado

1. Rendimiento de conexión a tierra estable

Utilizados para la conexión a tierra y la protección de electrodos, los anillos exteriores de poli-Si de Semicorex para grabado pueden evitar la acumulación de estática y daños por arco y garantizar un funcionamiento estable del sistema de electrodos, satisfaciendo perfectamente las demandas del proceso de fabricación 3D NAND avanzada.

2. Soporte confiable

Los anillos exteriores de poli-Si Semicorex para grabado sirven como componentes esenciales que conectan el anillo de escape y el cabezal de ducha. Proporcionan un soporte mecánico fiable a ambas piezas y las mantienen en una posición constante en el lugar adecuado. Además, el uso de anillos exteriores de poli-Si Semicorex para el grabado puede evitar la erosión por plasma en la cámara de grabado, lo que garantiza de manera efectiva la ejecución estable de la operación de grabado.

3. Compatibilidad con el proceso de grabado.

Los anillos exteriores de poli-Si de Semicorex para grabado presentan un bajo contenido de impurezas y una excepcional resistencia a la corrosión, lo que ofrece una excelente compatibilidad con la fabricación de obleas de silicio, lo que reduce en gran medida los defectos de las obleas causados ​​por la contaminación de subproductos grabados y garantiza significativamente una alta tasa de rendimiento en la producción de semiconductores.