El crecimiento de cristales es el eslabón principal en la producción de sustratos de carburo de silicio, y el equipo principal es el horno de crecimiento de cristales. Al igual que los hornos tradicionales de crecimiento de cristales de grado silicio, la estructura del horno no es muy compleja y con......
Leer másLos materiales semiconductores de banda ancha de tercera generación, como el nitruro de galio (GaN) y el carburo de silicio (SiC), son reconocidos por sus excepcionales capacidades de conversión optoelectrónica y transmisión de señales de microondas. Estos materiales cumplen con los exigentes requis......
Leer másUn barco de SiC, abreviatura de barco de carburo de silicio, es un accesorio resistente a altas temperaturas que se utiliza en los tubos de los hornos para transportar obleas durante el procesamiento a alta temperatura. Debido a las excelentes propiedades del carburo de silicio, como la resistencia ......
Leer másActualmente, la mayoría de los fabricantes de sustratos de SiC utilizan un nuevo diseño de proceso de campo térmico de crisol con cilindros de grafito poroso: colocan materias primas de partículas de SiC de alta pureza entre la pared del crisol de grafito y el cilindro de grafito poroso, mientras se......
Leer másLa deposición química de vapor (CVD) se refiere a una tecnología de proceso en la que múltiples reactivos gaseosos a presiones parciales variadas experimentan una reacción química en condiciones específicas de temperatura y presión. La sustancia sólida resultante se deposita sobre la superficie del ......
Leer másEn los campos de la electrónica moderna, la optoelectrónica, la microelectrónica y la tecnología de la información, los sustratos semiconductores y las tecnologías epitaxiales son indispensables. Proporcionan una base sólida para la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento y a......
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