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Noticias de la compañía

Comprensión de la deposición química de vapor (CVD): una descripción general completa

La deposición química de vapor (CVD) es una técnica versátil de deposición de películas delgadas ampliamente empleada en la industria de semiconductores para fabricar películas delgadas conformadas de alta calidad sobre diversos sustratos. Este proceso implica reacciones químicas de precursores gase......

Barcos de SiC frente a barcos de cuarzo: uso actual y tendencias futuras en la fabricación de semiconductores

Este artículo profundiza en el uso y la trayectoria futura de los barcos de carburo de silicio (SiC) en relación con los barcos de cuarzo dentro de la industria de los semiconductores, centrándose específicamente en sus aplicaciones en la fabricación de células solares.

Obleas epitaxiales de nitruro de galio: una introducción al proceso de fabricación

El crecimiento de obleas epitaxiales de nitruro de galio (GaN) es un proceso complejo que a menudo utiliza un método de dos pasos. Este método implica varias etapas críticas, que incluyen horneado a alta temperatura, crecimiento de la capa amortiguadora, recristalización y recocido. Al controlar met......

¿Cuál es la diferencia entre obleas epitaxiales y difusas?

Tanto las obleas epitaxiales como las difusas son materiales esenciales en la fabricación de semiconductores, pero difieren significativamente en sus procesos de fabricación y aplicaciones de destino. Este artículo profundiza en las distinciones clave entre estos tipos de obleas.

¿Cuáles son las ventajas y desventajas del grabado en seco y en húmedo?

El grabado es un proceso esencial en la fabricación de semiconductores. Este proceso se puede clasificar en dos tipos: grabado en seco y grabado en húmedo. Cada técnica tiene sus propias ventajas y limitaciones, por lo que es fundamental comprender las diferencias entre ellas. Entonces, ¿cómo se eli......

Material central para el crecimiento de SiC: revestimiento de carburo de tantalio

Los semiconductores actuales de tercera generación se basan principalmente en carburo de silicio, donde los sustratos representan el 47 % de los costos de los dispositivos y la epitaxia representa el 23 %, totalizando aproximadamente el 70 % y formando la parte más crucial de la industria de fabrica......

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