> Noticias > Noticias de la compañía

Noticias de la compañía

La importancia de los materiales porosos de grafito para el crecimiento de cristales de SiC.

El componente del horno de crecimiento de cristales de SiC de Semicorex, el barril de grafito poroso, aportará tres beneficios principales y puede fortalecer eficazmente la competitividad de los sustratos de SiC nacionales:

La primera empresa de industrialización de sustrato de óxido de galio de 6 pulgadas

Recientemente, nuestra empresa anunció que ha desarrollado con éxito un monocristal de óxido de galio de 6 pulgadas utilizando el método de fundición, convirtiéndose en la primera empresa industrializada nacional en dominar la tecnología de preparación de sustrato de monocristal de óxido de galio de......

Material de aislamiento de campo térmico.

El proceso de crecimiento del silicio monocristalino ocurre predominantemente dentro de un campo térmico, donde la calidad del ambiente térmico afecta significativamente la calidad del cristal y la eficiencia del crecimiento. El diseño del campo térmico juega un papel fundamental en la configuración......

¿Qué es el susceptor de grafito recubierto de SiC?

Para presentar el susceptor de grafito recubierto de SiC, es importante comprender su aplicación. Al fabricar dispositivos, es necesario construir más capas epitaxiales sobre algunos sustratos de oblea.

¿Cuáles son los desafíos de la producción de sustratos de carburo de silicio?

El carburo de silicio (SiC) es un material que posee una alta energía de enlace, similar a otros materiales duros como el diamante y el nitruro de boro cúbico. Sin embargo, la alta energía de enlace del SiC dificulta su cristalización directamente en lingotes mediante métodos de fusión tradicionales......

¿Qué es el carburo de silicio (SiC)?

Los materiales semiconductores se pueden dividir en tres generaciones según la secuencia temporal. La primera generación de germanio, silicio y otros monomateriales comunes, que se caracteriza por una conmutación conveniente, se utiliza generalmente en circuitos integrados. La segunda generación de ......

<...3 4 5 6 7...8 >