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Noticias de la compañía

Obleas epitaxiales de nitruro de galio: una introducción al proceso de fabricación

El crecimiento de obleas epitaxiales de nitruro de galio (GaN) es un proceso complejo que a menudo utiliza un método de dos pasos. Este método implica varias etapas críticas, que incluyen horneado a alta temperatura, crecimiento de la capa amortiguadora, recristalización y recocido. Al controlar met......

¿Cuál es la diferencia entre obleas epitaxiales y difusas?

Tanto las obleas epitaxiales como las difusas son materiales esenciales en la fabricación de semiconductores, pero difieren significativamente en sus procesos de fabricación y aplicaciones de destino. Este artículo profundiza en las distinciones clave entre estos tipos de obleas.

¿Cuáles son las ventajas y desventajas del grabado en seco y en húmedo?

El grabado es un proceso esencial en la fabricación de semiconductores. Este proceso se puede clasificar en dos tipos: grabado en seco y grabado en húmedo. Cada técnica tiene sus propias ventajas y limitaciones, por lo que es fundamental comprender las diferencias entre ellas. Entonces, ¿cómo se eli......

Material central para el crecimiento de SiC: revestimiento de carburo de tantalio

Los semiconductores actuales de tercera generación se basan principalmente en carburo de silicio, donde los sustratos representan el 47 % de los costos de los dispositivos y la epitaxia representa el 23 %, totalizando aproximadamente el 70 % y formando la parte más crucial de la industria de fabrica......

Ventajas de la cerámica de carburo de silicio en la industria de la fibra óptica

Las cerámicas de carburo de silicio ofrecen numerosas ventajas en la industria de la fibra óptica, incluida la estabilidad a altas temperaturas, el bajo coeficiente de expansión térmica, el bajo umbral de pérdidas y daños, la resistencia mecánica, la resistencia a la corrosión, la buena conductivida......

Una breve historia del carburo de silicio y aplicaciones de los recubrimientos de carburo de silicio

La historia del carburo de silicio (SiC) se remonta a 1891, cuando Edward Goodrich Acheson lo descubrió accidentalmente mientras intentaba sintetizar diamantes artificiales. Acheson calentó una mezcla de arcilla (aluminosilicato) y coque en polvo (carbono) en un horno eléctrico. En lugar de los diam......

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