Anillo de enfoque CVD SiC para 2L10-506419-21

Durante el proceso de grabado con plasma, la distribución no uniforme del plasma en la cámara de reacción puede provocar defectos graves en el borde de la oblea, lo que reducirá el rendimiento del dispositivo semiconductor. Semicorex CVD SiCanillo de enfoquepara 2L10-506419-21 es el componente ideal para abordar este problema. Por lo general, se instala en el mandril electrostático y se coloca alrededor del borde de la oblea. El anillo de enfoque Semicorex CVD SiC para 2L10-506419-21 puede enfocar el plasma en la superficie de la oblea y optimizar la distribución del campo eléctrico dentro de la cámara de reacción. De esta manera, puede prevenir eficazmente el fenómeno de sobregrabado del borde de la oblea, garantizando así resultados de grabado precisos y uniformes.

Funciones del anillo de enfoque Semicorex CVD SiC para 2L10-506419-21

1. Puede mejorar la uniformidad del grabado y mantener una tasa de grabado constante entre el centro y el borde de la oblea, aumentando así el rendimiento final de los chips semiconductores.

2. Puede ayudar a crear una condición de grabado estable para minimizar la desviación del proceso y la contaminación de partículas causada por la distribución desigual del plasma.

3. Puede proteger el borde de la oblea para evitar el sobregrabado y el daño del borde inducido por plasma.

Excelentes propiedades materiales

semicorexCVD SiCEl anillo de enfoque para 2L10-506419-21 está fabricado con precisión a partir de materiales sólidos CVD SiC. El proceso CVD puede mejorar significativamente el rendimiento estructural y funcional del carburo de silicio, lo que hace que el anillo de enfoque Semicorex CVD SiC para 2L10-506419-21 presente las siguientes excelentes propiedades para cumplir con entornos operativos de grabado complejos.

1. Pureza ultraalta y su contenido de impurezas es inferior a 5 ppm.

2.Alta resistencia mecánica gracias a su densa estructura interna.

3.Capacidad de gestión térmica superior, no se produce fusión ni ablandamiento en el material a una temperatura de alrededor de 2000 °C.

4.Excepcional resistencia a la corrosión, puede resistir el grabado por plasma y la erosión por gases de proceso, incluidos HF, HCl y NH₃.

Control de calidad de alta precisión

Semicorex siempre prioriza la precisión y la calidad de los componentes y produce anillos de enfoque CVD SiC estrictamente de acuerdo con los estándares de precisión profesionales de la industria de semiconductores, lo que garantiza que el anillo de enfoque Semicorex CVD SiC para 2L10-506419-21 ofrezca un ajuste perfecto y un ensamblaje perfecto con el equipo TEL VIGUS RK4.