Anillos de enfoque cerámicos para semiconductores

Cerámica semicorexanillo de enfoqueLos productos para semiconductores son las soluciones ideales adaptadas a las duras condiciones operativas de grabado por plasma. Durante el sofisticado proceso de grabado de semiconductores, es fundamental controlar con precisión la distribución del plasma, lo que puede garantizar la estabilidad de la cámara de grabado y una uniformidad constante del grabado de semiconductores. Como componentes indispensables utilizados en los equipos de grabado avanzados, los anillos de enfoque normalmente se colocan alrededor de las obleas semiconductoras y entran en contacto directo con ellas. El rendimiento de los anillos de enfoque ejerce un impacto directo en la repetibilidad del proceso, el rendimiento del producto y el tiempo de actividad del equipo.

Ventajas de los anillos de enfoque cerámicos Semicorex para semiconductores

1. Pureza del material ultraalta

La pureza de nuestraCVD SiCmaterial supera el 99,9995%. Esto puede prevenir eficazmente la contaminación de la cámara de grabado y las obleas semiconductoras causada por una pureza insuficiente del material.

2.Excepcional resistencia a la corrosión

Los anillos de enfoque cerámicos Semicorex para semiconductores están fabricados a partir de CVD SiC, presentando una excelente resistencia a la oxidación, erosión y corrosión química, siendo especialmente efectivos contra gases de proceso como HF y HCI, así como gas plasma.

3.Rendimiento de resistencia superior

La uniformidad de resistencia de los anillos de enfoque cerámicos Semicorex para semiconductores es inferior al 5%.

Rangos de resistividad: Baja Res. (<0,02 Ω·cm), Res. media. (0,2–25 Ω·cm), alta resolución. (>100 Ω·cm).

Funciones de los anillos de enfoque cerámicos Semicorex para semiconductores

1.Controlar y uniformar el campo eléctrico del borde y la distribución del plasma.

Los anillos de enfoque cerámicos Semicorex para semiconductores pueden controlar la distribución del campo eléctrico dentro de la cámara de grabado y lograr una envoltura de plasma más uniforme alrededor de las obleas semiconductoras, lo que permite que el plasma incida en la superficie de la oblea de manera vertical y uniforme. De esta manera, se puede reducir en gran medida el efecto del borde de grabado y mejorar significativamente la precisión del grabado.

2. Protege el mandril electrostático.

Sin la protección de los anillos de enfoque en el proceso de grabado, el mandril electrostático quedará expuesto al bombardeo y la erosión del plasma de alta energía. Los mandriles electrostáticos están hechos de materiales costosos con costos de reemplazo extremadamente altos. El uso de anillos de enfoque puede reducir eficazmente la corrosión por plasma en el mandril electrostático y minimizar los costos de mantenimiento y reemplazo del mandril electrostático.