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El grafito con revestimiento de TaC se crea recubriendo la superficie de un sustrato de grafito de alta pureza con una fina capa de carburo de tantalio mediante un proceso patentado de deposición química de vapor (CVD).



El carburo de tantalio (TaC) es un compuesto que consta de tantalio y carbono. Tiene una conductividad eléctrica metálica y un punto de fusión excepcionalmente alto, lo que lo convierte en un material cerámico refractario conocido por su resistencia, dureza y resistencia al calor y al desgaste. El punto de fusión de los carburos de tantalio alcanza un máximo de aproximadamente 3880 °C, dependiendo de la pureza, y tiene uno de los puntos de fusión más altos entre los compuestos binarios. Esto lo convierte en una alternativa atractiva cuando las demandas de temperatura más altas exceden las capacidades de rendimiento utilizadas en procesos epitaxiales de semiconductores compuestos como MOCVD y LPE.


Datos del material del revestimiento Semicorex TaC

Proyectos

Parámetros

Densidad

14,3 (g/cm³)

Emisividad

0.3

CTE (×10-6/K)

6.3

Dureza (HK)

2000

Resistencia (Ohm-cm)

1×10-5

Estabilidad térmica

<2500℃

Cambio de dimensión de grafito

-10~-20um (valor de referencia)

Espesor del recubrimiento

Valor típico ≥20um(35um±10um)



Los anteriores son valores típicos.




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Susceptor MOCVD con revestimiento TaC

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