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Las perspectivas de aplicación de los sustratos de carburo de silicio de 12 pulgadas

El carburo de silicio (SiC), como material semiconductor de banda prohibida amplia, ofrece ventajas incomparables en aplicaciones de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia.

método czochralski

Las obleas se cortan a partir de varillas de cristal, que se producen a partir de materiales intrínsecos policristalinos y puros sin dopar. El proceso de transformar material policristalino en monocristales mediante fusión y recristalización se conoce como crecimiento cristalino. Actualmente, se emp......

Fabricación de obleas

Las obleas son materias primas esenciales para circuitos integrados, dispositivos de potencia y dispositivos semiconductores discretos. Más del 90% de los circuitos integrados se fabrican con obleas de alta pureza y calidad. La calidad y la capacidad de suministro de estas obleas dentro de la indust......

¿Qué desafíos implica la fabricación de SiC?

En el panorama de los materiales semiconductores de banda prohibida ancha, el carburo de silicio (SiC) se ha convertido en un material de gran prestigio, sobresaliendo particularmente en el dominio de conversión de alta potencia.

¿Qué es una oblea ficticia?

En el proceso de fabricación de semiconductores, las obleas constituyen la base de la producción de chips. Entre ellos, un tipo especial de oblea, denominada Dummy Wafer, desempeña un papel fundamental a la hora de garantizar la estabilidad del equipo y controlar los costes de producción.

¿Qué es la tecnología de implantación de iones semiconductores?

En la fabricación de semiconductores, la implantación de iones implica el uso de aceleradores de alta energía para inyectar átomos de impurezas específicas, como arsénico o boro, en un sustrato de silicio.

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