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Presentamos la tecnología central del barco de grafito.

Graphite Boat está a la vanguardia de la innovación tecnológica en su industria, presentando un conjunto de avances innovadores diseñados para mejorar el rendimiento, la pureza y la vida útil. A continuación, profundizamos en las tecnologías centrales que definen la excelencia de los barcos de grafi......

Grafito poroso para el crecimiento de cristales de SiC de alta calidad mediante el método PVT

El carburo de silicio (SiC) se ha convertido en un material clave en el campo de la tecnología de semiconductores y ofrece propiedades excepcionales que lo hacen muy deseable para diversas aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas. La producción de monocristales de SiC de alta calidad es crucial ......

3 métodos de moldeado de grafito

Los cuatro métodos de moldeo principales para el moldeo de grafito son: moldeo por extrusión, moldeo, moldeo vibratorio y moldeo isostático. La mayoría de los materiales de carbono/grafito comunes en el mercado se moldean mediante extrusión en caliente y moldeo (en frío o en caliente), y el moldeo i......

¿Qué es el grafito isostático?

El grafito de especialidad es el grafito con una fracción de masa de carbono superior al 99,99%, también conocido como "tres grafitos altos" (alta resistencia, alta densidad, alta pureza). Se caracteriza por su alta resistencia, alta densidad, alta pureza, alta estabilidad química, alta conductivida......

Introducción al transporte físico de vapor (PVT)

Las propias características del SiC determinan que su crecimiento monocristalino sea más difícil. Debido a la ausencia de la fase líquida Si:C=1:1 a presión atmosférica, el proceso de crecimiento más maduro adoptado por la corriente principal de la industria de semiconductores no se puede utilizar p......

Lanzamiento de productos epitaxiales GaN HEMT de alta potencia de 850 V

En noviembre de 2023, Semicorex lanzó productos epitaxiales de GaN-on-Si de 850 V para aplicaciones de dispositivos de potencia HEMT de alto voltaje y alta corriente. En comparación con otros sustratos para dispositivos de potencia HMET, GaN-on-Si permite tamaños de oblea más grandes y aplicaciones ......

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