En la fabricación tradicional de dispositivos de potencia de silicio, la difusión a alta temperatura y la implantación de iones son los métodos principales para el control de dopantes, cada uno con sus ventajas y desventajas. Normalmente, la difusión a alta temperatura se caracteriza por su simplici......
Leer másEl carburo de silicio (SiC) es una sustancia inorgánica. La cantidad de carburo de silicio natural es muy pequeña. Es un mineral raro y se llama moissanita. El carburo de silicio utilizado en la producción industrial se sintetiza principalmente de forma artificial.
Leer másEn la industria de los semiconductores, las capas epitaxiales desempeñan un papel crucial al formar películas delgadas monocristalinas específicas sobre un sustrato de oblea, conocidas colectivamente como obleas epitaxiales. En particular, las capas epitaxiales de carburo de silicio (SiC) cultivadas......
Leer másActualmente, la mayoría de los fabricantes de sustratos de SiC utilizan un nuevo diseño de proceso de campo térmico de crisol con cilindros de grafito poroso: colocan materias primas de partículas de SiC de alta pureza entre la pared del crisol de grafito y el cilindro de grafito poroso, mientras se......
Leer másEl crecimiento epitaxial se refiere al proceso de hacer crecer una capa monocristalina cristalográficamente bien ordenada sobre un sustrato. En términos generales, el crecimiento epitaxial implica el cultivo de una capa cristalina sobre un sustrato monocristalino, donde la capa cultivada comparte la......
Leer másRecientemente, la industria de los semiconductores ha seguido prestando cada vez más atención a la tecnología de nitruro de galio (GaN). Debido a sus excelentes propiedades electrónicas, los dispositivos de Nitruro de Galio tienen importantes aplicaciones en muchos campos de alta tecnología:
Leer más