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Introducción a los dispositivos de potencia de carburo de silicio

Los dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC) son dispositivos semiconductores fabricados con materiales de carburo de silicio y se utilizan principalmente en aplicaciones electrónicas de alta frecuencia, alta temperatura, alto voltaje y alta potencia. En comparación con los dispositivos ......

Tecnología de epitaxia de oblea de carburo de silicio

El carburo de silicio generalmente utiliza el método PVT, con una temperatura de más de 2000 grados, un ciclo de procesamiento largo y bajo rendimiento, por lo que el costo de los sustratos de carburo de silicio es muy alto.

Una breve historia del carburo de silicio y aplicaciones de los recubrimientos de carburo de silicio

La historia del carburo de silicio (SiC) se remonta a 1891, cuando Edward Goodrich Acheson lo descubrió accidentalmente mientras intentaba sintetizar diamantes artificiales. Acheson calentó una mezcla de arcilla (aluminosilicato) y coque en polvo (carbono) en un horno eléctrico. En lugar de los diam......

Dificultades en la preparación de GaN.

Como material semiconductor de tercera generación, el nitruro de galio a menudo se compara con el carburo de silicio. El nitruro de galio aún demuestra su superioridad con su gran banda prohibida, alto voltaje de ruptura, alta conductividad térmica, alta velocidad de deriva de electrones saturados y......

Introducción a los semiconductores de tercera generación: GaN y tecnologías epitaxiales relacionadas

Los materiales de GaN ganaron protagonismo tras la concesión del Premio Nobel de Física de 2014 a los LED azules. Inicialmente apareciendo en el ojo público a través de aplicaciones de carga rápida en electrónica de consumo, los amplificadores de potencia basados en GaN y los dispositivos de RF ta......

Sustrato versus epitaxia: funciones clave en la fabricación de semiconductores

En el ámbito de la tecnología de semiconductores y la microelectrónica, los conceptos de sustratos y epitaxia tienen una gran importancia. Desempeñan papeles críticos en el proceso de fabricación de dispositivos semiconductores. Este artículo profundizará en las diferencias entre los sustratos semi......

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