El crecimiento de obleas epitaxiales de nitruro de galio (GaN) es un proceso complejo que a menudo utiliza un método de dos pasos. Este método implica varias etapas críticas, que incluyen horneado a alta temperatura, crecimiento de la capa amortiguadora, recristalización y recocido. Al controlar met......
Leer másTanto las obleas epitaxiales como las difusas son materiales esenciales en la fabricación de semiconductores, pero difieren significativamente en sus procesos de fabricación y aplicaciones de destino. Este artículo profundiza en las distinciones clave entre estos tipos de obleas.
Leer másEl sustrato de carburo de silicio es un material monocristalino semiconductor compuesto compuesto por dos elementos, carbono y silicio. Tiene las características de banda prohibida grande, alta conductividad térmica, alta intensidad de campo de ruptura crítica y alta tasa de deriva de saturación de ......
Leer másDentro de la cadena industrial del carburo de silicio (SiC), los proveedores de sustratos tienen una influencia significativa, principalmente debido a la distribución del valor. Los sustratos de SiC representan el 47% del valor total, seguidos de las capas epitaxiales con el 23%, mientras que el dis......
Leer másLos MOSFET de SiC son transistores que ofrecen alta densidad de potencia, eficiencia mejorada y bajas tasas de falla a altas temperaturas. Estas ventajas de los MOSFET de SiC aportan numerosos beneficios a los vehículos eléctricos (EV), incluida una mayor autonomía de conducción, una carga más rápid......
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