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Conociendo el MOCVD

MOCVD es una nueva tecnología de crecimiento epitaxial en fase de vapor desarrollada sobre la base del crecimiento epitaxial en fase de vapor (VPE).

Aplicaciones de componentes de grafito recubiertos de TaC

En el proceso de crecimiento de monocristales de SiC y AlN mediante el método de transporte físico de vapor (PVT), componentes como el crisol, el soporte del cristal semilla y el anillo guía desempeñan un papel vital. Durante el proceso de preparación de SiC, el cristal semilla se ubica en una regió......

Proceso de corte y molienda de sustrato

El material de sustrato de SiC es el núcleo del chip de SiC. El proceso de producción del sustrato es: después de obtener el lingote de cristal de SiC mediante crecimiento de monocristal; luego, preparar el sustrato de SiC requiere alisar, redondear, cortar, esmerilar (adelgazar); pulido mecánico, p......

La primera empresa de industrialización de sustrato de óxido de galio de 6 pulgadas

Recientemente, nuestra empresa anunció que ha desarrollado con éxito un monocristal de óxido de galio de 6 pulgadas utilizando el método de fundición, convirtiéndose en la primera empresa industrializada nacional en dominar la tecnología de preparación de sustrato de monocristal de óxido de galio de......

Diferencias entre cristales de SiC con diferentes estructuras.

El carburo de silicio (SiC) es un material que posee una estabilidad térmica, física y química excepcional, exhibiendo propiedades que van más allá de las de los materiales convencionales. Su conductividad térmica es de unos sorprendentes 84 W/(m·K), que no sólo es superior a la del cobre sino tambi......

¿Qué es un recubrimiento de TaC sobre grafito?

En el campo de la fabricación de semiconductores en rápida evolución, incluso las mejoras más pequeñas pueden marcar una gran diferencia cuando se trata de lograr un rendimiento, durabilidad y eficiencia óptimos. Un avance que está generando mucho revuelo en la industria es el uso de recubrimiento d......

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