El recubrimiento de SiC es una capa delgada sobre el susceptor a través del proceso de deposición química de vapor (CVD). El material de carburo de silicio proporciona una serie de ventajas sobre el silicio, incluyendo 10 veces la intensidad del campo eléctrico de ruptura, 3 veces la banda prohibida, lo que proporciona al material resistencia química y a altas temperaturas, excelente resistencia al desgaste y conductividad térmica.
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El recubrimiento de SiC posee varias ventajas únicas
Resistencia a altas temperaturas: el susceptor recubierto de CVD SiC puede soportar altas temperaturas de hasta 1600 °C sin sufrir una degradación térmica significativa.
Resistencia química: el recubrimiento de carburo de silicio proporciona una excelente resistencia a una amplia gama de productos químicos, incluidos ácidos, álcalis y disolventes orgánicos.
Resistencia al desgaste: El recubrimiento de SiC proporciona al material una excelente resistencia al desgaste, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que implican un alto desgaste.
Conductividad térmica: el recubrimiento CVD SiC proporciona al material una alta conductividad térmica, lo que lo hace adecuado para su uso en aplicaciones de alta temperatura que requieren una transferencia de calor eficiente.
Alta resistencia y rigidez: el susceptor recubierto de carburo de silicio proporciona al material alta resistencia y rigidez, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren alta resistencia mecánica.
El recubrimiento de SiC se utiliza en diversas aplicaciones.
Fabricación de LED: El susceptor recubierto de CVD SiC se utiliza en la fabricación de varios tipos de LED, incluidos LED azules y verdes, LED UV y LED UV profundo, debido a su alta conductividad térmica y resistencia química.
Comunicación móvil: el susceptor recubierto de SiC CVD es una parte crucial del HEMT para completar el proceso epitaxial de GaN-on-SiC.
Procesamiento de semiconductores: el susceptor recubierto de SiC CVD se utiliza en la industria de semiconductores para diversas aplicaciones, incluido el procesamiento de obleas y el crecimiento epitaxial.
Componentes de grafito recubiertos de SiC
Fabricado con grafito con revestimiento de carburo de silicio (SiC), el revestimiento se aplica mediante un método CVD a grados específicos de grafito de alta densidad, por lo que puede funcionar en hornos de alta temperatura a más de 3000 °C en una atmósfera inerte y 2200 °C en vacío. .
Las propiedades especiales y la baja masa del material permiten velocidades de calentamiento rápidas, distribución uniforme de la temperatura y una precisión de control excepcional.
Datos del material del recubrimiento Semicorex SiC
Propiedades típicas |
Unidades |
Valores |
Estructura |
|
Fase β de la FCC |
Orientación |
Fracción (%) |
111 preferido |
densidad aparente |
gramos/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Capacidad calorífica |
J kg-1 K-1 |
640 |
Expansión térmica 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) |
430 |
Tamaño de grano |
µm |
2~10 |
Temperatura de sublimación |
℃ |
2700 |
Fuerza flexural |
MPa (RT 4 puntos) |
415 |
Conductividad térmica |
(W/mK) |
300 |
Conclusión El susceptor recubierto de SiC CVD es un material compuesto que combina las propiedades de un susceptor y del carburo de silicio. Este material posee propiedades únicas, que incluyen resistencia química y a altas temperaturas, excelente resistencia al desgaste, alta conductividad térmica y alta resistencia y rigidez. Estas propiedades lo convierten en un material atractivo para diversas aplicaciones de alta temperatura, incluido el procesamiento de semiconductores, el procesamiento químico, el tratamiento térmico, la fabricación de células solares y la fabricación de LED.
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