La placa portadora RTP recubierta de SiC Semicorex para crecimiento epitaxial es la solución perfecta para aplicaciones de procesamiento de obleas semiconductoras. Con sus susceptores de grafito de carbono de alta calidad y crisoles de cuarzo procesados por MOCVD en la superficie de grafito, cerámica, etc., este producto es ideal para el manejo de obleas y el procesamiento de crecimiento epitaxial. El soporte recubierto de SiC garantiza una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor, lo que lo convierte en una opción confiable para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos.
Leer másEnviar ConsultaSemicorex es un fabricante y proveedor a gran escala de susceptor de grafito recubierto de carburo de silicio en China. Susceptor de grafito Semicorex diseñado específicamente para equipos de epitaxia con alta resistencia al calor y a la corrosión en China. Nuestro portador recubierto de SiC RTP RTA tiene una buena ventaja de precio y cubre muchos de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo.
Leer másEnviar ConsultaSemicorex RTP Carrier para crecimiento epitaxial MOCVD es ideal para aplicaciones de procesamiento de obleas semiconductoras, incluido el crecimiento epitaxial y el procesamiento de manipulación de obleas. MOCVD procesa susceptores de grafito de carbono y crisoles de cuarzo en la superficie de grafito, cerámica, etc. Nuestros productos tienen una buena ventaja de precio y cubren muchos de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.
Leer másEnviar ConsultaEl componente ICP recubierto de SiC de Semicorex está diseñado específicamente para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con un fino recubrimiento de cristal de SiC, nuestros soportes brindan una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme y resistencia química duradera.
Leer másEnviar ConsultaCuando se trata de procesos de manipulación de obleas como epitaxia y MOCVD, el recubrimiento de SiC de alta temperatura para cámaras de grabado por plasma de Semicorex es la mejor opción. Nuestros portadores brindan una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme y resistencia química duradera gracias a nuestro fino recubrimiento de cristal de SiC.
Leer másEnviar ConsultaLa bandeja de grabado por plasma ICP de Semicorex está diseñada específicamente para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con una resistencia estable a la oxidación a altas temperaturas de hasta 1600 °C, nuestros portadores proporcionan perfiles térmicos uniformes, patrones de flujo de gas laminar y evitan la contaminación o la difusión de impurezas.
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