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Capas y sustratos epitaxiales de silicio en la fabricación de semiconductores

En los campos de la electrónica moderna, la optoelectrónica, la microelectrónica y la tecnología de la información, los sustratos semiconductores y las tecnologías epitaxiales son indispensables. Proporcionan una base sólida para la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento y a......

Ventajas del SiC en la industria de los vehículos eléctricos

Como material semiconductor de banda prohibida ancha (WBG), la diferencia de energía más amplia del SiC le otorga propiedades térmicas y electrónicas más altas en comparación con el Si tradicional. Esta característica permite que los dispositivos de potencia funcionen a temperaturas, frecuencias y v......

Control de dopaje en el crecimiento de SiC por sublimación

El carburo de silicio (SiC) desempeña un papel importante en la fabricación de electrónica de potencia y dispositivos de alta frecuencia debido a sus excelentes propiedades eléctricas y térmicas. La calidad y el nivel de dopaje de los cristales de SiC afectan directamente el rendimiento del disposit......

La importancia de los materiales porosos de grafito para el crecimiento de cristales de SiC.

El componente del horno de crecimiento de cristales de SiC de Semicorex, el barril de grafito poroso, aportará tres beneficios principales y puede fortalecer eficazmente la competitividad de los sustratos de SiC nacionales:

Conociendo el MOCVD

MOCVD es una nueva tecnología de crecimiento epitaxial en fase de vapor desarrollada sobre la base del crecimiento epitaxial en fase de vapor (VPE).

Aplicaciones de componentes de grafito recubiertos de TaC

En el proceso de crecimiento de monocristales de SiC y AlN mediante el método de transporte físico de vapor (PVT), componentes como el crisol, el soporte del cristal semilla y el anillo guía desempeñan un papel vital. Durante el proceso de preparación de SiC, el cristal semilla se ubica en una regió......

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