Noticias - Semicorex Advanced Material Technology Co., Ltd

Grabado en seco versus grabado en húmedo

En la fabricación de semiconductores, el grabado es uno de los pasos principales, junto con la fotolitografía y la deposición de películas delgadas. Implica eliminar materiales no deseados de la superficie de una oblea mediante métodos químicos o físicos. Este paso se lleva a cabo después del recubr......

Dislocación en cristales de SiC.

El sustrato de SiC puede tener defectos microscópicos, como dislocación del tornillo roscado (TSD), dislocación del borde roscado (TED), dislocación del plano base (BPD) y otros. Estos defectos son causados por desviaciones en la disposición de los átomos a nivel atómico.

Sobre defectos en cristales de SiC - Micropipe

El sustrato de SiC puede tener defectos microscópicos, como dislocación del tornillo roscado (TSD), dislocación del borde roscado (TED), dislocación del plano base (BPD) y otros. Estos defectos son causados por desviaciones en la disposición de los átomos a nivel atómico. Los cristales de SiC tamb......

¿Por qué elegir el método de epitaxia en fase líquida?

En comparación con el método PVT, el método en fase líquida para cultivar SiC tiene las siguientes ventajas:

¿Qué es la epitaxia en fase líquida?

El método en fase líquida está más cerca de las condiciones de equilibrio termodinámico y es capaz de hacer crecer cristales de SiC de mejor calidad.

Recubrimiento TaC

Según los resultados de la investigación, el recubrimiento de TaC puede actuar como una capa protectora y aislante para extender la vida útil de los componentes de grafito, mejorar la uniformidad de la temperatura radial, mantener la estequiometría de sublimación del SiC, suprimir la migración de im......