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Proceso PECVD

La deposición química de vapor mejorada por plasma (PECVD) es una tecnología ampliamente utilizada en la fabricación de chips. Utiliza la energía cinética de los electrones dentro del plasma para activar reacciones químicas en la fase gaseosa, logrando así la deposición de películas delgadas.

Detección de defectos en el procesamiento de obleas de carburo de silicio

Los sustratos de SiC son el componente más importante de la industria del carburo de silicio y representan casi el 50 % de su valor. Sin sustratos de SiC, es imposible fabricar dispositivos de SiC, lo que los convierte en el material base esencial.

¿Qué es la oblea ficticia?

Una oblea ficticia es una oblea especializada que se utiliza principalmente para llenar equipos de máquinas durante el proceso de fabricación de la oblea.

Aplicación de GaN

Hay muchos tipos de nitruro de galio (GaN), siendo el GaN a base de silicio el más discutido. Esta tecnología implica cultivar materiales de GaN directamente sobre un sustrato de silicio.

SK Siltron amplía su producción de obleas de SiC con un préstamo de 544 millones de dólares del Departamento de Energía de EE. UU.

El Departamento de Energía de Estados Unidos (DOE) confirmó recientemente un préstamo de 544 millones de dólares a SK Siltron, un fabricante de obleas semiconductoras del Grupo SK.

¿Cuáles son las aplicaciones de los recubrimientos de SiC y TaC en el campo de los semiconductores?

Los semiconductores son materiales cuya conductividad eléctrica a temperatura ambiente se encuentra entre la de los aislantes y la de los conductores. Al introducir impurezas, proceso conocido como dopaje, estos materiales pueden convertirse en conductores.

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