Cerámica de SiCes el material resistente a altas temperaturas, que es duradero en el proceso de semiconductores. Mientras tanto, el material puede tener una alta pureza para alcanzar el nivel de semiconductores.
Semicorex ofrece varios personalizadosCerámica de SiCProductos, con tecnología de impresión 3D.
1. La impresión 3D permite moldear una sola vez toda la forma y luego sinterizar, todo dentro de una sala limpia, evitando la introducción de contaminación iónica durante el proceso de fabricación.
2. La fundición en barbotina tradicional requiere moldes y el proceso de desmoldeo puede introducir contaminación fácilmente.
3. Para el tubo de horno horizontal con tubería de gas de cola, la fundición deslizante tradicional requiere moldeo y sinterización por separado del cuerpo del horno y la tubería de gas, seguido de un segundo proceso de sinterización antes de que se pueda unir la boquilla de gas. Esto da como resultado una menor resistencia en la articulación, haciéndola propensa a romperse.
4. Debido a que la impresión 3D crea la forma completa antes de la sinterización, el acabado posterior mejora significativamente el rendimiento, especialmente para productos que requieren ranuras, como las obleas.
5. La impresión 3D también ofrece una mejor uniformidad de densidad que la fundición en barbotina convencional.
A barco de obleaes un portador de proceso utilizado para contener obleas, principalmente en equipos de procesamiento de alta temperatura.
En los procesos de fabricación de semiconductores, las obleas se someten a múltiples pasos de procesamiento térmico, como difusión, oxidación, recocido y deposición química de vapor (CVD). Durante estos procesos, las obleas generalmente se procesan por lotes en equipos de tubos de horno y el barco de obleas cumple las siguientes funciones:
La estructura y las propiedades del material del barco de oblea afectan directamente la distribución del campo térmico y la consistencia del proceso.
Los barcos tipo oblea de carburo de silicio suelen emplear un diseño de estructura que ofrece una alta estabilidad estructural. Las características típicas incluyen:
Estructura de ranura multicapa para un posicionamiento preciso de la oblea;
Diseño abierto para facilitar el flujo de gas entre obleas;
Marco de alta rigidez para reducir el riesgo de deformación en ambientes de alta temperatura.
Dependiendo del tipo de equipo, los botes de oblea pueden diseñarse como estructuras verticales u horizontales y soportar diferentes tamaños de oblea (por ejemplo, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 12 pulgadas).
En el proceso de fabricación de energía fotovoltaica, las obleas de silicio se colocan en pequeñas embarcaciones, que luego se colocan sobre soportes de embarcaciones para procesos térmicos como la difusión y el LPCVD. El carburo de siliciopaleta voladizaes un componente de carga clave que mueve el soporte del barco que transporta las obleas de silicio dentro y fuera del horno de calentamiento. La paleta en voladizo de carburo de silicio garantiza la concentricidad de las obleas de silicio y los tubos del horno, lo que da como resultado una difusión y pasivación más uniforme. También permanece libre de contaminación y deformación a altas temperaturas, exhibe una excelente resistencia al choque térmico y tiene una gran capacidad de carga, lo que lo hace ampliamente utilizado en el campo de las células fotovoltaicas.
tubos de hornoson una aplicación clave en los procesos de fabricación de semiconductores, incluida la oxidación térmica, el dopaje por difusión, el recocido y la deposición química de vapor (LPCVD, APCVD). Estos procesos normalmente se realizan en hornos de alta temperatura y abarcan pasos importantes en la fabricación de semiconductores, como la oxidación, la difusión de impurezas y el recocido para la reparación de defectos del cristal.
La oxidación a temperatura es el proceso de tubos de horno más básico, que implica calentar una oblea de silicio en un entorno de oxígeno o vapor de agua. En la microfabricación, la oxidación térmica es un método para crear una fina capa de óxido (normalmente dióxido de silicio) en la superficie de la oblea. Esta técnica obliga a un oxidante a difundirse en la oblea a altas temperaturas y reaccionar con ella.
El dopaje por difusión es una técnica de dopaje fundamental en la fabricación de semiconductores. Al hacer que los átomos de impurezas (como el boro y el fósforo) migren al sustrato semiconductor (principalmente obleas de silicio) a altas temperaturas, se altera la conductividad y resistividad locales del sustrato, construyendo así estructuras clave del dispositivo, como uniones PN, regiones base y regiones emisoras.
Los procesos de recocido incluyen principalmente el recocido térmico rápido (RTA), un tipo de equipo que logra un tratamiento térmico a alta temperatura (300 ℃ -1200 ℃) en un tiempo extremadamente corto (segundos). Se utiliza ampliamente en procesos clave como la activación de dopantes de semiconductores, la formación de siliciuro y la ingeniería de deformaciones. Su tecnología central radica en el uso de lámparas infrarrojas halógenas o fuentes láser para lograr un calentamiento y enfriamiento rápidos, eliminando defectos internos de las obleas y optimizando la estructura cristalina, mejorando así el rendimiento de los dispositivos semiconductores.
Los hornos de recocido térmico rápido ofrecen una amplia gama de aplicaciones, como recocido (RTA) de silicio y obleas semiconductoras compuestas, oxidación térmica rápida (RTO), nitruración térmica rápida (RTN), difusión térmica rápida de dopantes recubiertos por rotación, cristalización y aleación de contacto.