El componente ICP recubierto de SiC de Semicorex está diseñado específicamente para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con un fino recubrimiento de cristal de SiC, nuestros soportes brindan una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme y resistencia química duradera.
Leer másEnviar ConsultaCuando se trata de procesos de manipulación de obleas como epitaxia y MOCVD, el recubrimiento de SiC de alta temperatura para cámaras de grabado por plasma de Semicorex es la mejor opción. Nuestros portadores brindan una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme y resistencia química duradera gracias a nuestro fino recubrimiento de cristal de SiC.
Leer másEnviar ConsultaLa bandeja de grabado por plasma ICP de Semicorex está diseñada específicamente para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con una resistencia estable a la oxidación a altas temperaturas de hasta 1600 °C, nuestros portadores proporcionan perfiles térmicos uniformes, patrones de flujo de gas laminar y evitan la contaminación o la difusión de impurezas.
Leer másEnviar ConsultaEl portador recubierto de SiC de Semicorex para el sistema de grabado por plasma ICP es una solución confiable y rentable para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Nuestros soportes cuentan con un fino revestimiento de cristal de SiC que proporciona una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme y resistencia química duradera.
Leer másEnviar ConsultaEl susceptor recubierto de carburo de silicio de Semicorex para plasma acoplado inductivamente (ICP) está diseñado específicamente para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con una resistencia estable a la oxidación a altas temperaturas de hasta 1600 °C, nuestros portadores garantizan perfiles térmicos uniformes, patrones de flujo de gas laminar y evitan la contaminación o la difusión de impurezas.
Leer másEnviar ConsultaEl soporte para obleas de grabado ICP de Semicorex es la solución perfecta para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con una resistencia estable a la oxidación a altas temperaturas de hasta 1600 °C, nuestros portadores garantizan perfiles térmicos uniformes, patrones de flujo de gas laminar y evitan la contaminación o la difusión de impurezas.
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