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Proceso CVD para epitaxia de obleas de SiC

El proceso de CVD para la epitaxia de obleas de SiC implica la deposición de películas de SiC sobre un sustrato de SiC mediante una reacción en fase gaseosa. Los gases precursores de SiC, típicamente metiltriclorosilano (MTS) y etileno (C2H4), se introducen en una cámara de reacción donde el sustrat......

Japón restringió recientemente las exportaciones de 23 tipos de equipos de fabricación de semiconductores

Japón restringió recientemente las exportaciones de 23 tipos de equipos de fabricación de semiconductores. El anuncio ha generado ondas en toda la industria, ya que se espera que la medida tenga un impacto significativo en las cadenas de suministro globales para la fabricación de semiconductores.

La escasez de chips sigue siendo un problema

Si bien actualmente existe un exceso de oferta de semiconductores de memoria debido a una economía global lenta, los chips analógicos para aplicaciones automotrices e industriales siguen siendo escasos. Los plazos de entrega de estos chips analógicos pueden ser de hasta 40 semanas, en comparación co......

¿Cuál es la ventaja del carburo de silicio?

¿Qué es un sistema MOCVD?

¿Para qué se utilizan las obleas epitaxiales?

Las obleas epitaxiales se han utilizado en la industria electrónica durante décadas, pero su importancia solo ha aumentado a medida que avanza la tecnología. En este artículo, exploraremos qué son las obleas epitaxiales y por qué son un componente tan esencial de la electrónica moderna.