Barco de oblea de carburo de silicio

2026-07-10 - Déjame un mensaje

En la fabricación de semiconductores, la oxidación implica colocar la oblea en un ambiente de alta temperatura donde el oxígeno fluye a través de la superficie de la oblea para formar una capa de óxido. Esto protege la oblea de impurezas químicas, evita que la corriente de fuga entre en los circuitos, evita la difusión durante la implantación de iones y evita el deslizamiento de la oblea durante el grabado, formando una película protectora en la superficie de la oblea. El equipo utilizado en este paso es un horno de oxidación. Los componentes principales dentro de la cámara de reacción incluyen un recipiente de oblea, una base, tubos de revestimiento del horno, tubos internos del horno y deflectores de aislamiento térmico. Debido a la alta temperatura de funcionamiento, los requisitos de rendimiento para los componentes dentro de la cámara de reacción también son elevados.


Elbarco de oblease utiliza como soporte para el transporte y procesamiento de obleas. Debe poseer ventajas tales como alta integración, alta confiabilidad, propiedades antiestáticas, resistencia a altas temperaturas, resistencia al desgaste, resistencia a la deformación, buena estabilidad y larga vida útil. Dado que la temperatura de oxidación de la oblea está aproximadamente entre 800 ℃ y 1300 ℃, y los requisitos para el contenido de impurezas metálicas en el medio ambiente son extremadamente estrictos, los componentes clave como la oblea no solo deben tener excelentes propiedades térmicas, mecánicas y químicas, sino también un contenido de impurezas metálicas extremadamente bajo. Según el sustrato, se pueden dividir en obleas de cuarzo, obleas de cerámica de carburo de silicio, etc. Sin embargo, con el avance de los nodos de proceso por debajo de 7 nm y la expansión de las ventanas de proceso de alta temperatura, las obleas de cuarzo tradicionales se están volviendo gradualmente inadecuadas en términos de estabilidad térmica, control de partículas y gestión de la vida útil. Los barcos de carburo de silicio (SiC) están reemplazando gradualmente las soluciones tradicionales de cuarzo.


1. Fabricación de semiconductores


En los procesos de fabricación de chips a alta temperatura, como oxidación, difusión, deposición química de vapor (CVD) e implantación de iones, se utilizan embarcaciones de SiC para soportar obleas de silicio, lo que garantiza que las obleas permanezcan planas a altas temperaturas y evita la desalineación o deformación de la red causada por estrés térmico, garantizando así la precisión y el rendimiento del chip.


2. Industria Fotovoltaica


Las cerámicas de carburo de silicio poseen una excelente resistencia mecánica, estabilidad térmica, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la oxidación, resistencia al choque térmico y resistencia a la corrosión química, y se utilizan ampliamente en campos populares como la metalurgia, la maquinaria, las nuevas energías y los productos químicos para materiales de construcción. Su rendimiento también es suficiente para procesos térmicos en la fabricación fotovoltaica, como difusión, LPCVD (deposición química de vapor de baja presión) y PECVD (deposición química de vapor de plasma) para células TOPcon. En comparación con los materiales de cuarzo tradicionales, los materiales cerámicos de carburo de silicio utilizados para fabricar soportes para embarcaciones, embarcaciones pequeñas y productos tubulares ofrecen mayor resistencia, mejor estabilidad térmica y no se deforman a altas temperaturas. Su vida útil también es más de cinco veces mayor que la del cuarzo, lo que reduce significativamente los costos operativos y las pérdidas de energía debido al tiempo de inactividad por mantenimiento. Esto da como resultado una clara ventaja de costes y las materias primas están ampliamente disponibles.


3. Industria de semiconductores de tercera generación


En las cámaras de reacción de deposición química de vapor organometálico (MOCVD), se utilizan embarcaciones de carburo de silicio para soportar sustratos de zafiro, resistiendo ambientes de gases corrosivos como el amoníaco (NH3), apoyando el crecimiento epitaxial de materiales semiconductores de tercera generación como el nitruro de galio (GaN) y mejorando la eficiencia luminosa y el rendimiento de los chips LED. En el crecimiento de monocristales de carburo de silicio, los botes de carburo de silicio sirven como soportes de cristales semilla en hornos de crecimiento de monocristales de carburo de silicio, resistiendo el ambiente corrosivo de alta temperatura del silicio fundido, proporcionando un soporte estable para el crecimiento de monocristales de carburo de silicio y promoviendo la preparación de monocristales de carburo de silicio de alta calidad.



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