Propiedades y aplicaciones semiconductoras de las cerámicas de carburo de silicio.

La cerámica de carburo de silicio es un material cerámico avanzado que se compone principalmente de carbono y silicio. Con excelentes características de rendimiento, la cerámica de carburo de silicio se utiliza ampliamente en las industrias de alto nivel, incluido el mecanizado mecánico, la fabricación de semiconductores, la industria militar y la ingeniería aeroespacial.

Características de rendimiento de las cerámicas de carburo de silicio

1. Alta dureza y resistencia excepcionales

La resistencia a la flexión de la cerámica de carburo de silicio normalmente supera los 400 MPa y su dureza Vickers oscila entre 2200 y 3300 HV, lo que la hace muy adecuada para condiciones operativas de alta carga y estrés.

2. Excelente módulo elástico

El módulo elástico de la cerámica de carburo de silicio está dentro del rango de 400 a 450 GPa, lo que ofrece una rigidez estructural excepcional y una deformación mínima en condiciones de carga pesada.

3. Estabilidad térmica superior

La cerámica de carburo de silicio exhibe menos deterioro de la resistencia que los metales y cerámicas convencionales en ambientes inertes o reductores de 1400 °C, lo que presenta un rendimiento superior contra la deformación y la falla por fluencia en situaciones de alta temperatura y alta carga.

4. Excelente resistencia a la corrosión química

Las cerámicas de carburo de silicio poseen una excelente resistencia a la corrosión contra la mayoría de los ácidos fuertes, álcalis fuertes, sales fundidas y diversos gases corrosivos. Incluso cuando se exponen a condiciones de funcionamiento corrosivas, la integridad estructural de los componentes cerámicos de carburo de silicio apenas se ve dañada por la corrosión química.

Aplicaciones de la cerámica de carburo de silicio en la industria de semiconductores

1. Equipo de grabado

Componentes CVD SiC comoanillos de enfoque, gasolinacabezales de ducha, susceptores de oblea, los anillos de borde exhiben una conductividad eléctrica favorable, lo que los hace funcionar excelentemente en entornos de plasma altamente corrosivos y de alta energía en equipos de grabado por plasma.

2. Equipo de litografía

Los procesos de litografía exigen una precisión de alineación a nanoescala, y los componentes utilizados en el sistema de litografía deben funcionar en condiciones de movimiento alternativo de alta frecuencia y control de precisión a nivel micrométrico. Con baja expansión térmica, alta conductividad térmica y rigidez superior, las piezas cerámicas de carburo de silicio, como las etapas de oblea yespejos ópticospuede preservar la integridad estructural y minimizar la distorsión térmica en entornos de litografía severos, lo que garantiza efectivamente un rendimiento estable del sistema y una alta precisión de litografía.

3. Equipo de crecimiento epitaxial (MOCVD)

Los portadores de obleas recubiertos con recubrimientos CVD SiC uniformes y densos exhiben un rendimiento estable y confiable. Pueden suprimir eficazmente la sublimación del material y la contaminación por partículas, lo que los convierte en una opción ideal indispensable para aplicaciones altamente corrosivas y de alta temperatura en equipos epitaxiales.