A medida que aumente gradualmente la aceptación global de los vehículos eléctricos, el carburo de silicio (SiC) encontrará nuevas oportunidades de crecimiento en la próxima década. Se prevé que los fabricantes de semiconductores de potencia y los operadores de la industria automotriz participen más ......
Leer másComo material semiconductor de banda prohibida ancha (WBG), la diferencia de energía más amplia del SiC le otorga propiedades térmicas y electrónicas más altas en comparación con el Si tradicional. Esta característica permite que los dispositivos de potencia funcionen a temperaturas, frecuencias y v......
Leer másEl carburo de silicio (SiC) desempeña un papel importante en la fabricación de electrónica de potencia y dispositivos de alta frecuencia debido a sus excelentes propiedades eléctricas y térmicas. La calidad y el nivel de dopaje de los cristales de SiC afectan directamente el rendimiento del disposit......
Leer másEn el proceso de crecimiento de monocristales de SiC y AlN mediante el método de transporte físico de vapor (PVT), componentes como el crisol, el soporte del cristal semilla y el anillo guía desempeñan un papel vital. Durante el proceso de preparación de SiC, el cristal semilla se ubica en una regió......
Leer másEl material de sustrato de SiC es el núcleo del chip de SiC. El proceso de producción del sustrato es: después de obtener el lingote de cristal de SiC mediante crecimiento de monocristal; luego, preparar el sustrato de SiC requiere alisar, redondear, cortar, esmerilar (adelgazar); pulido mecánico, p......
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